加入星計(jì)劃，您可以享受以下權(quán)益：

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入

氮化硅

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

氮化硅是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為Si3N4。它是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，硬度大，本身具有潤(rùn)滑性，并且耐磨損，為原子晶體；高溫時(shí)抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會(huì)碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優(yōu)異的特性，人們常常利用它來(lái)制造軸承、氣輪機(jī)葉片、機(jī)械密封環(huán)、永久性模具等機(jī)械構(gòu)件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來(lái)制造發(fā)動(dòng)機(jī)部件的受熱面，不僅可以提高柴油機(jī)質(zhì)量，節(jié)省燃料，而且能夠提高熱效率。中國(guó)及美國(guó)、日本等國(guó)家都已研制出了這種柴油機(jī)。

氮化硅是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為Si3N4。它是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，硬度大，本身具有潤(rùn)滑性，并且耐磨損，為原子晶體；高溫時(shí)抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會(huì)碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優(yōu)異的特性，人們常常利用它來(lái)制造軸承、氣輪機(jī)葉片、機(jī)械密封環(huán)、永久性模具等機(jī)械構(gòu)件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來(lái)制造發(fā)動(dòng)機(jī)部件的受熱面，不僅可以提高柴油機(jī)質(zhì)量，節(jié)省燃料，而且能夠提高熱效率。中國(guó)及美國(guó)、日本等國(guó)家都已研制出了這種柴油機(jī)。收起

查看更多
  • 使用SEMulator3D進(jìn)行虛擬工藝故障排除和研究
    使用SEMulator3D進(jìn)行虛擬工藝故障排除和研究
    SEMulator3D 工藝建模在開(kāi)發(fā)早期識(shí)別工藝和設(shè)計(jì)問(wèn)題，減少了開(kāi)發(fā)延遲、晶圓制造成本和上市時(shí)間 現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝極其復(fù)雜，包含成百上千個(gè)互相影響的獨(dú)立工藝步驟。在開(kāi)發(fā)這些工藝步驟時(shí)，上游和下游的工藝模塊之間常出現(xiàn)不可預(yù)期的障礙，造成開(kāi)發(fā)周期延長(zhǎng)和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) (DOE) 功能來(lái)解決這一問(wèn)題。 在 3D NAND 存儲(chǔ)器件的制造中，有
  • X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價(jià)值鏈產(chǎn)業(yè)化
    X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價(jià)值鏈產(chǎn)業(yè)化
    全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開(kāi)展photonixFAB項(xiàng)目---該項(xiàng)目旨在為中小企業(yè)和大型實(shí)體機(jī)構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺(tái)。在此過(guò)程中，模擬/混合信號(hào)晶圓代工領(lǐng)域的先進(jìn)廠商X-FAB Si
  • 科研前線 | 聯(lián)電與KLA聯(lián)合開(kāi)發(fā)氮化硅測(cè)試片的再生晶圓技術(shù)
    直擊前線科研動(dòng)態(tài)。
  • MACOM：光通信領(lǐng)域和硅襯底氮化鎵產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域兩手抓
    隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，通信速度變得越來(lái)越快，無(wú)線傳輸越來(lái)越重要，每個(gè)人低頭看手機(jī)的頻率越來(lái)越高，我們?cè)絹?lái)越依賴于網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)我們也通過(guò)手持終端創(chuàng)造了更多的數(shù)據(jù)上傳到網(wǎng)上，因此大數(shù)據(jù)的傳輸和存儲(chǔ)給運(yùn)營(yíng)商帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn)。中國(guó)提出了“寬帶中國(guó)”的戰(zhàn)略，同時(shí)各大運(yùn)營(yíng)商已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模安裝100G干線網(wǎng)絡(luò)，這給支持高速網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)陌雽?dǎo)體廠商也帶來(lái)了順勢(shì)拓
  • 在沉積氮化硅（SiN）薄膜時(shí)，如何調(diào)整工藝以控制折射率和應(yīng)力
    氮化硅（SiN）薄膜是一種重要的功能性材料，在半導(dǎo)體、光學(xué)涂層、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。在沉積氮化硅薄膜時(shí)，控制薄膜的折射率和應(yīng)力對(duì)于影響其光學(xué)性能、機(jī)械性能和穩(wěn)定性具有重要意義。本文將探討在沉積氮化硅薄膜時(shí)，如何調(diào)整工藝參數(shù)以有效控制折射率和應(yīng)力。
    7915
    08/19 09:22