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資訊

微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。

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2021/08/23

dram 晶體管
柵極電流

柵極電流（Gate current）是指在場(chǎng)效應(yīng)管、晶體管等半導(dǎo)體器件中，從柵極（Gate）流入或流出的電流。它在半導(dǎo)體器件的工作過程中起到重要的作用，對(duì)器件的性能和穩(wěn)定性具有重要影響。

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2023/05/25

電流柵極
柵極

柵極是一種用于控制場(chǎng)效應(yīng)管或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等電子器件的元件。它通常是一個(gè)金屬片或一組金屬線構(gòu)成的網(wǎng)格，位于器件的通道和漏極之間。

wx喵不二~

1.3萬

2023/05/10

柵極
MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判斷方法

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種重要的器件。它由柵極（Gate）、源極（Source）、漏極（Drain）三個(gè)主要引腳組成。

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11/06 11:46

場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
柵極的檢測(cè)方法門極和柵極的區(qū)別

晶體管是現(xiàn)代電子技術(shù)中常用的一種電子元件，而晶體管中的柵極也是十分重要的組成部分之一。下面我們來了解一下柵極的檢測(cè)方法以及門極和柵極的區(qū)別。

eefocus_3880508

5065

2023/04/20

柵極

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