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寬禁帶

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  • Nexperia與KOSTAL就先進(jìn)車規(guī)級寬禁帶器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
    Nexperia與KOSTAL就先進(jìn)車規(guī)級寬禁帶器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
    Nexperia今天宣布已與領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商KOSTAL（科世達(dá)）建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在生產(chǎn)更符合汽車應(yīng)用嚴(yán)苛要求的寬禁帶(WBG)器件。根據(jù)合作條款，Nexperia將開發(fā)、制造和供應(yīng)由Kostal設(shè)計和驗(yàn)證的寬禁帶功率電子器件。此次合作初期將專注于開發(fā)用于電動汽車(EV)車載充電器(OBC)的頂部散熱(TSC) QDPAK封裝的碳化硅(SiC) MOSFET器件。 KOSTAL Autom
  • 【向?qū)捊麕а葸M(jìn)】： 您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎？
    碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導(dǎo)體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發(fā)不良的導(dǎo)電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導(dǎo)電率，相當(dāng)于半導(dǎo)體運(yùn)行失效。 在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率
  • 從測試角度看寬禁帶技術(shù)的挑戰(zhàn)，泰克為工程師提供簡化工具
    從測試的角度來看寬禁帶技術(shù)帶來的諸多挑戰(zhàn)，例如如何篩選不同廠家的器件及必要性，如何解決目前寬禁帶器件應(yīng)用測試和驅(qū)動測試的難題，如何能充分發(fā)揮器件的性能等。泰克針對性的測試解決方案覆蓋了從半導(dǎo)體材料、生產(chǎn)、可靠性到電源設(shè)計應(yīng)用的全流程，幫助用好寬禁帶技術(shù)，推動技術(shù)進(jìn)步。 不斷增長的電力電子市場受到氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體的驅(qū)動，這些半導(dǎo)體目前被應(yīng)用于汽車和射頻通信等
  • 知名行業(yè)領(lǐng)軍人物Dieter Liesabeths加入VisIC 擔(dān)任產(chǎn)品高級副總裁
    作為汽車應(yīng)用氮化鎵（GaN）解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者，VisIC Technologies LTD公司很高興地宣布： Dieter Liesabeths將加入公司，擔(dān)任產(chǎn)品高級副總裁。
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    2022/10/12
  • 寬禁帶
    寬禁帶是指半導(dǎo)體材料的能隙較大，需要較高能量才能激發(fā)載流子的現(xiàn)象。在電子半導(dǎo)體行業(yè)中具有重要意義，本文將對寬禁帶進(jìn)行詳細(xì)介紹，以及其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用和影響。
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    11/11 11:39