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功率因數(shù)校正

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功率因數(shù)校正，改善電網(wǎng)功率因數(shù)的措施。電感性負(fù)載或電容性負(fù)載使電網(wǎng)的功率因數(shù)小于1,過小的功率因數(shù)浪費(fèi)了供電設(shè)備的容量,因而需要校正。校正的方法是:當(dāng)功率因數(shù)減小是由于電感性負(fù)載引起時(shí),可在電網(wǎng)上掛接電容性裝置用來抵消電感性負(fù)載的影響;當(dāng)功率因數(shù)減小是由于電容性負(fù)載引起時(shí),可在電網(wǎng)上掛接電感性裝置用來抵消電容性負(fù)載的影響。

功率因數(shù)校正，改善電網(wǎng)功率因數(shù)的措施。電感性負(fù)載或電容性負(fù)載使電網(wǎng)的功率因數(shù)小于1,過小的功率因數(shù)浪費(fèi)了供電設(shè)備的容量,因而需要校正。校正的方法是:當(dāng)功率因數(shù)減小是由于電感性負(fù)載引起時(shí),可在電網(wǎng)上掛接電容性裝置用來抵消電感性負(fù)載的影響;當(dāng)功率因數(shù)減小是由于電容性負(fù)載引起時(shí),可在電網(wǎng)上掛接電感性裝置用來抵消電容性負(fù)載的影響。收起

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    Vishay Siliconix設(shè)計(jì)和生產(chǎn)面向工業(yè)、可再生能源、計(jì)算、消費(fèi)及照明市場(chǎng)的高壓MOSFET（HVM）。我們擁有電壓范圍為50 V至1000 V的廣泛器件，其中采用我們最新超結(jié)技術(shù)的器件的電壓范圍為500 V至650 V 。本設(shè)計(jì)指南的目的是幫助設(shè)計(jì)工程師在其功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)盡可能高的MOSFET效率。
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    2015/12/03