加入星計劃,您可以享受以下權益:

  • 創(chuàng)作內容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

功率半導體器件

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

電力電子器件(Power Electronic Device)又稱為功率半導體器件,主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上)。

電力電子器件(Power Electronic Device)又稱為功率半導體器件,主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上)。收起

查看更多

設計資料

查看更多
  • 【干貨分享】MOSFET器件的高壓CV測試詳解
    【干貨分享】MOSFET器件的高壓CV測試詳解
    MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率,設計者需要知道這些參數(shù)。例如,設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容,因為這將影響開關速度,從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。 圖1. 功率MOSFET的組件級電容 三端功率半導體器件的電容可以在兩種不同的量級上看待:組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個設備終
  • 英飛凌攜手盛弘電氣拓展儲能市場, 共同推進綠色能源發(fā)展
    英飛凌攜手盛弘電氣拓展儲能市場, 共同推進綠色能源發(fā)展
    近日,英飛凌宣布與全球領先的能源互聯(lián)網核心電力設備及解決方案領軍企業(yè)盛弘電氣股份有限公司達成合作。英飛凌將為盛弘提供業(yè)內領先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半導體器件,配合EiceDRIVER? 緊湊型1200V單通道隔離柵極驅動IC, 從而進一步提升儲能變流器的效率。 在“雙碳”戰(zhàn)略和新能源浪潮帶動下,近年來,國內儲能市場保持持續(xù)快速發(fā)展。據(jù)工信部統(tǒng)計,2023年上半年,新型儲能
  • Transphorm氮化鎵器件率先達到對電機驅動應用至關重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑
    新世代電力系統(tǒng)的未來,氮化鎵(GaN)功率半導體產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)今日宣布,利用該公司的一項專利技術,在氮化鎵功率晶體管上實現(xiàn)了長達5微秒的短路耐受時間(SCWT)。這是同類產品有記錄以來首次達到的成就,也是整個行業(yè)的一個重要里程碑,證明 Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機、工業(yè)電機和汽車動力傳動系統(tǒng)等傳統(tǒng)上由硅 IGBT 或碳化硅(SiC)MOSFET 提供支持的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應用領域未來五年的潛在市場規(guī)模(TAM)超過 30 億美元。
  • 英飛凌300毫米薄晶圓功率半導體高科技工廠正式啟動運營
    英飛凌科技股份公司今日宣布,其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導體芯片工廠正式啟動運營。
  • 萬萬沒想到打敗汽車的不是汽油,而是芯片
    相比手機、電腦芯片新產品發(fā)布會有時比春晚還熱鬧的景象,汽車芯片領域一直不太受普通大眾關注。直到2020年開始,汽車芯片出現(xiàn)了嚴重短缺,甚至出現(xiàn)了供應商囤積居奇的魔幻場景。