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內(nèi)存模組

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內(nèi)存模組是芯片組所能支持的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存插槽數(shù)量。由于每款芯片組對于內(nèi)存芯片的數(shù)據(jù)深度和數(shù)據(jù)寬度支持程度不同,實(shí)際上也就決定了每個(gè)內(nèi)存BANK的最大容量,進(jìn)而也就決定了芯片組所能支持的內(nèi)存BANK數(shù)量。

內(nèi)存模組是芯片組所能支持的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存插槽數(shù)量。由于每款芯片組對于內(nèi)存芯片的數(shù)據(jù)深度和數(shù)據(jù)寬度支持程度不同,實(shí)際上也就決定了每個(gè)內(nèi)存BANK的最大容量,進(jìn)而也就決定了芯片組所能支持的內(nèi)存BANK數(shù)量。收起

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  • 閃存模組和內(nèi)存模組結(jié)構(gòu)構(gòu)成
    主控芯片,一方面合理調(diào)配數(shù)據(jù)在各個(gè)閃存顆粒的負(fù)荷,另一方面承擔(dān) 整體數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn),連接閃存芯片和外部 SATA 接口。此外,主控還負(fù)責(zé)糾錯(cuò)、耗損平衡、壞塊映射、讀寫緩存、垃圾回收以及加密等一系列功能算法。各類型存儲器主控芯片如下:
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    在數(shù)據(jù)中心作為新型基礎(chǔ)設(shè)施加快建設(shè)的背景下,服務(wù)器及數(shù)據(jù)存儲的市場規(guī)模將繼續(xù)快速增長,該細(xì)分領(lǐng)域需求將大幅增加。在這樣的情況下,佰維于今年推出了服務(wù)器專用內(nèi)存——BIWIN RD100系列DDR4 RDIMM,該產(chǎn)品兼具企業(yè)級的性能、低功耗、高可靠性等優(yōu)勢,兼容主流CPU、主板與操作系統(tǒng),廣泛適用于服務(wù)器、分布式存儲、云計(jì)算邊緣計(jì)算等領(lǐng)域。 RD100采用了高規(guī)格優(yōu)質(zhì)內(nèi)存顆粒,運(yùn)行頻率高達(dá)3200