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創(chuàng)新的 UPMEM PIM-DRAM 需要?jiǎng)?chuàng)新的電源完整性分析

資源大?。?.23MB

[摘要] UPMEM 提出的創(chuàng)新型 PIM-DRAM 模塊有望讓 IC 行業(yè)節(jié)省大量的資源和運(yùn)營(yíng)成本。但是，要想取得市場(chǎng)成功，UPMEM 必須確保他們的新模塊能夠有效地滿足市場(chǎng)對(duì)功耗和可靠性的要求。由于使用 mPower 集成式功耗分析流程可以

自動(dòng)化后處理 DRC 錯(cuò)誤可提高調(diào)試效率

資源大?。?63.82KB

[摘要] 自動(dòng)化后處理 DRC 調(diào)試流程使設(shè)計(jì)人員能夠更快、更準(zhǔn)確地分析和修復(fù)（或豁免）各種復(fù)雜的錯(cuò)誤條件。通過為設(shè)計(jì)人員提供有關(guān)各種 DRC/DFM 錯(cuò)誤的更精確和更詳細(xì)的信息、自動(dòng)化錯(cuò)誤分析和處理以及關(guān)于錯(cuò)誤分布的可視化顯示，高級(jí)后處理功能

2.5D 和 3D IC 的自動(dòng)化 ESD 防護(hù)驗(yàn)證

資源大?。?.35MB

[摘要] 確保您的集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)能夠承受靜電放電 (ESD) 事件而不會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞或故障，這是 IC 電路設(shè)計(jì)和驗(yàn)證中極其重要的一項(xiàng)活動(dòng)。雖然常規(guī) 2D IC 已擁有完善的自動(dòng)化 ESD 驗(yàn)證流程，但 2.5D 和 3D 集成給 ESD

使用機(jī)器學(xué)習(xí)對(duì)ECD建模以改進(jìn)CMP仿真

資源大?。?.24MB

[摘要] 半機(jī)械平面化/拋光（CMP）是制造半導(dǎo)體芯片和電子設(shè)備的多級(jí)互連過程中使用的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。芯片制造中使用的許多工藝步驟需要晶片上的平面（光滑）表面，以確保在為下一層生成結(jié)構(gòu)的光刻過程中正確印刷圖案。CMP是用于實(shí)現(xiàn)精確焦深（DOF）和

DRC錯(cuò)誤的自動(dòng)處理以提高調(diào)試效率

資源大?。?06.17KB

[摘要] 自動(dòng)化處理DRC調(diào)試流程使設(shè)計(jì)人員能夠更快速、更準(zhǔn)確地分析和修復(fù)（或免除）各種復(fù)雜的錯(cuò)誤條件。通過為設(shè)計(jì)人員提供有關(guān)各種DRC/DFM錯(cuò)誤的更精確和詳細(xì)的信息、錯(cuò)誤的自動(dòng)分析和處理以及錯(cuò)誤分布的可視化顯示，先進(jìn)的后處理功能不僅可以幫助

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