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[摘要]
將SiC作為功率器件材料的成功因素之一是已具有采用硅中許多著名的器件概念和加工技術的基本知識。其中包括基本的器件設計,例如垂直型肖特基二極管或垂直功率MOSFET(經(jīng)過在JFET和BJT上的一些繞道作為替代結(jié)構)。因此,許多用于驗證硅