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[摘要] 充電器領域近期的發(fā)展和技術進步使工程師在日常生活中面臨新的挑戰(zhàn)。更高的效率、相同輸出功率下更小的占用空間或相同占用空間下更大的功率是當代充電器設計中的主要挑戰(zhàn)之一。在本白皮書中，英飛凌為工程師提供了 USB-C PD 充電領域不同解決

英飛凌如何控制和保證SiC基功率半導體的可靠性

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[摘要] 英飛凌 CoolSiC™ 基于溝道的碳化硅功率MOSFET代表了功率轉(zhuǎn)換開關器件性能因數(shù)（FOM）值的顯著提高，具有優(yōu)異的系統(tǒng)性能。這在許多應用中實現(xiàn)了更高的效率、功率密度和降低的系統(tǒng)成本。這項技術也可以被認為是新的應用程

高性能CoolSiC?MOSFET技術具有類似硅的可靠性

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[摘要] 先進的設計活動主要集中在比電阻領域，作為給定技術的主要基準參數(shù)。然而，必須在電阻和開關損耗等主要性能指標與實際電力電子設計相關的其他方面（如足夠的可靠性）之間找到適當?shù)钠胶狻?

CoolSiC? MOSFET：功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的革命

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[摘要] 碳化硅（SiC）晶體管越來越多地應用于功率變換器中，對其尺寸、重量和效率提出了更高的要求。碳化硅優(yōu)異的材料特性使快速開關單極性器件的設計成為可能，而不是雙極性IGBT器件。因此，只有在低壓世界（<600 V）才有可能實現(xiàn)的解決方

5G通信開關電源的主要要求和建議

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[摘要] 本文概述了現(xiàn)代通信開關電源的主要要求，直接源自5G系統(tǒng)的主要趨勢。我們討論了CoolSiC™ MOSFET 650 V 技術為最新一代通信整流器帶來的優(yōu)勢，它成功地滿足了高效率和高性能的所有關鍵設計要求。