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歡迎進(jìn)入與非網(wǎng)英飛凌原廠資料專區(qū)。在這里你能領(lǐng)略到英飛凌公司的半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案為更美好的未來做出的貢獻(xiàn)，以及使我們的世界變得更容易、更安全和更綠色的工業(yè)智能。

5G通信開關(guān)電源的主要要求和建議
資源大小：1.1MB
[摘要] 本文概述了現(xiàn)代通信開關(guān)電源的主要要求，直接源自5G系統(tǒng)的主要趨勢。我們討論了CoolSiC™ MOSFET 650 V 技術(shù)為最新一代通信整流器帶來的優(yōu)勢，它成功地滿足了高效率和高性能的所有關(guān)鍵設(shè)計要求。
GaN e-mode HEMT在無線動力傳遞領(lǐng)域的優(yōu)勢
資源大小：1.21MB
[摘要] 便攜式設(shè)備的無線充電消除了對傳統(tǒng)適配器/充電器的需求，本文演示了氮化鎵（GaN）增強模式（e-mode）的優(yōu)勢，已針對無線技術(shù)提出了兩種功率放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中基于MOSFET的HEMT器件根據(jù)AirFuel聯(lián)盟的基準(zhǔn)規(guī)格進(jìn)行動力傳輸。
CoolGaN的可靠性和資質(zhì)
資源大小：2.33MB
[摘要] 本文介紹了英飛凌用于成功認(rèn)證的四部分流程CoolGaN TM 600 V技術(shù)和產(chǎn)品。描述了關(guān)鍵的故障機制，以及實現(xiàn)故障的方法確保在各種應(yīng)用中提供安全可靠的操作。通過這種方法，避免了我們的客戶否則會遇到的許多風(fēng)險，并找到了一條安全的道路
650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMW65R027M1H
資源大?。?.43MB
[摘要] 650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性，650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨特特性結(jié)合在一
650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMW65R107M1H
資源大?。?.42MB
[摘要] 650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性，650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨特特性結(jié)合在一
Infineon公司介紹

 

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技?？偛课挥?a target="_blank">德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。

英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性，為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱，并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球，在美國加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C構(gòu)。

 

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