歡迎進(jìn)入與非網(wǎng)英飛凌原廠資料專區(qū)。在這里你能領(lǐng)略到英飛凌公司的半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案為更美好的未來做出的貢獻(xiàn),以及使我們的世界變得更容易、更安全和更綠色的工業(yè)智能。

XENSIV? – TLE4972 磁性電流傳感器
資源大?。?65.82KB
[摘要] 英飛凌 TLE4972 無芯磁電流傳感器產(chǎn)品系列專門滿足汽車應(yīng)用中電流感應(yīng)的要求。成熟而強(qiáng)大的霍爾技術(shù)能夠?qū)﹄娏鞲袘?yīng)的磁場(chǎng)進(jìn)行準(zhǔn)確且高度線性的電流測(cè)量。憑借其緊湊的設(shè)計(jì),VSON 和 TDSO 封裝分別只需要 3.5 x 4.5 mm
英飛凌關(guān)于 USB-C PD 充電器的建議和解決方案
資源大?。?.74MB
[摘要] 充電器領(lǐng)域近期的發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步使工程師在日常生活中面臨新的挑戰(zhàn)。更高的效率、相同輸出功率下更小的占用空間或相同占用空間下更大的功率是當(dāng)代充電器設(shè)計(jì)中的主要挑戰(zhàn)之一。在本白皮書中,英飛凌為工程師提供了 USB-C PD 充電領(lǐng)域不同解決
英飛凌如何控制和保證SiC基功率半導(dǎo)體的可靠性
資源大小:4.7MB
[摘要] 英飛凌 CoolSiC™ 基于溝道的碳化硅功率MOSFET代表了功率轉(zhuǎn)換開關(guān)器件性能因數(shù)(FOM)值的顯著提高,具有優(yōu)異的系統(tǒng)性能。這在許多應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了更高的效率、功率密度和降低的系統(tǒng)成本。這項(xiàng)技術(shù)也可以被認(rèn)為是新的應(yīng)用程
高性能CoolSiC?MOSFET技術(shù)具有類似硅的可靠性
資源大?。?70.75KB
[摘要] 先進(jìn)的設(shè)計(jì)活動(dòng)主要集中在比電阻領(lǐng)域,作為給定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而,必須在電阻和開關(guān)損耗等主要性能指標(biāo)與實(shí)際電力電子設(shè)計(jì)相關(guān)的其他方面(如足夠的可靠性)之間找到適當(dāng)?shù)钠胶狻?
CoolSiC? MOSFET:功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的革命
資源大?。?86.78KB
[摘要] 碳化硅(SiC)晶體管越來越多地應(yīng)用于功率變換器中,對(duì)其尺寸、重量和效率提出了更高的要求。碳化硅優(yōu)異的材料特性使快速開關(guān)單極性器件的設(shè)計(jì)成為可能,而不是雙極性IGBT器件。因此,只有在低壓世界(<600 V)才有可能實(shí)現(xiàn)的解決方
Infineon公司介紹

 

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥?a target="_blank">德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。

英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動(dòng)性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號(hào)、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國(guó)加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C(jī)構(gòu)。

 

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