1. Infineon原廠資料
  2. 全部

歡迎進(jìn)入與非網(wǎng)英飛凌原廠資料專區(qū)。在這里你能領(lǐng)略到英飛凌公司的半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案為更美好的未來做出的貢獻(xiàn)，以及使我們的世界變得更容易、更安全和更綠色的工業(yè)智能。

新型NFC標(biāo)簽端控制器，用于緊湊型和無電池物聯(lián)網(wǎng)
資源大小：711.83KB
[摘要] 英飛凌 的 NFC 標(biāo)簽端控制器 NGC1081 是智能傳感應(yīng)用的顛覆者——不再需要電池！
全新EPR規(guī)范助力提升基于氮化鎵的USB-C適配器和充電器的性能
資源大小：1.03MB
[摘要] 隨著USB PD 3.1標(biāo)準(zhǔn)[1]的發(fā)布，最大功率被提升到了240W。但寬輸出電壓范圍5V至48V給現(xiàn)有的轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)帶來了新的挑戰(zhàn)。本白皮書提出了AC-DC PFC升壓級和DC-DC HFB（混合反激式）級[2]（也稱非對稱半橋反
XENSIV? - 傳輸系統(tǒng)中的傳感器使用案例
資源大?。?45.4KB
[摘要] 英飛凌XENSIV強(qiáng)大而可靠的磁性傳感器支持傳輸系統(tǒng)優(yōu)化，最大限度地提高能源效率，使我們的地球更加潔凈。我們強(qiáng)大的傳感器可支持客戶平臺方式（標(biāo)準(zhǔn)化），可靠地減少了客戶的質(zhì)量問題，此外，我們還提供大量穩(wěn)定的產(chǎn)品組合，使業(yè)務(wù)得以延續(xù)。
服務(wù)器和電信應(yīng)用中的氮化鎵技術(shù)
資源大?。?.57MB
[摘要] 本文將探討增強(qiáng)型 GaN HEMT 在服務(wù)器電源和電信基礎(chǔ)設(shè)施等高功率應(yīng)用中的優(yōu)勢。與下一代最佳硅替代品相比，本文將定量地展示，基于 GaN 功率器件的系統(tǒng)能有多大提升。本文還將深入探討相應(yīng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、磁性器件選擇及開關(guān)頻率，以充分利用
高壓 CoolGaNTM GIT HEMT 的可靠性和鑒定
資源大小：2.62MB
[摘要] 憑借英飛凌在電力電子領(lǐng)域的專業(yè)知識和眾多寬禁帶 (WBG) 相關(guān) IP 產(chǎn)品系列，高壓 (> 600 V) CoolGaN ™ 硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 代表著一項(xiàng)重大工程
Infineon公司介紹

 

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。

英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動(dòng)性和 安全性，為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱，并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球，在美國加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C(jī)構(gòu)。

 

Infineon官方微信

 

Infineon資源推薦