憑借英飛凌在電力電子領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí)和眾多寬禁帶 (WBG) 相關(guān) IP 產(chǎn)品系列,高壓 (> 600 V) CoolGaN ™ 硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 代表著一項(xiàng)重大工程進(jìn)步。這些非常耐用、可靠的器件大大改善了即將實(shí)現(xiàn)的功率轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)器件的品質(zhì)因數(shù) (FoM)。這些器件系統(tǒng)性能出色——實(shí)現(xiàn)了更高水平的效率及行業(yè)領(lǐng)先的功率密度,還降低了整體系統(tǒng)成本。