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英飛凌 CoolSiC™ 基于溝道的碳化硅功率MOSFET代表了功率轉(zhuǎn)換開關(guān)器件性能因數(shù)(FOM)值的顯著提高,具有優(yōu)異的系統(tǒng)性能。這在許多應(yīng)用中實現(xiàn)了更高的效率、功率密度和降低的系統(tǒng)成本。這項技術(shù)也可以被認為是新的應(yīng)用程序和拓撲的使能器。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥?a target="_blank">德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。
英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構(gòu)。
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