[摘要]
碳化硅（SiC）晶體管越來(lái)越多地應(yīng)用于功率變換器中，對(duì)其尺寸、重量和效率提出了更高的要求。碳化硅優(yōu)異的材料特性使快速開(kāi)關(guān)單極性器件的設(shè)計(jì)成為可能，而不是雙極性IGBT器件。因此，只有在低壓世界（<600 V）才有可能實(shí)現(xiàn)的解決方案，現(xiàn)在在更高的電壓下也有可能實(shí)現(xiàn)。其好處是更高的效率，更高的開(kāi)關(guān)頻率，更好的散熱和節(jié)省空間，反過(guò)來(lái)也可以導(dǎo)致整體成本較低。
同時(shí)，MOSFET已被普遍接受為選擇的概念。起初，JFET結(jié)構(gòu)似乎是將性能和可靠性融合到SiC晶體管中的最終選擇。然而，隨著150mm晶圓技術(shù)的發(fā)展，基于溝道的sicmosfet也變得可行，因此，DMOS的性能或高可靠性的困境現(xiàn)在可以得到解決。
蘇公網(wǎng)安備 32059002001874號(hào)
