三星電子

• 突發(fā)！三星又換HBM封裝負(fù)責(zé)人

  三星電子通過年末人事調(diào)整和組織改編，對(duì)HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）制造核心工序封裝（Packaging）組織進(jìn)行了變化，從臺(tái)積電聘請(qǐng)的副社長林俊成下臺(tái)，組織名稱也改為“系統(tǒng)封裝實(shí)驗(yàn)室”，繼續(xù)開發(fā)新一代HBM——HBM4封裝技術(shù)。

  芯片說 IC TIME

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  12/14 10:55

  三星電子 HBM

  
• 三星正開發(fā)移動(dòng)HBM，能效提高70%

  三星電子正致力于下一代半導(dǎo)體市場，重點(diǎn)開發(fā)被稱為DRAM市場新星的“LLW（Low Latency Wide IO）DRAM”。LLW具有數(shù)據(jù)處理速度快、功耗低的特點(diǎn)，是比現(xiàn)有低功耗DRAM性能更高的產(chǎn)品。它被認(rèn)為是針對(duì)設(shè)備上人工智能市場的未來技術(shù)，因此被稱為“移動(dòng)HBM（高帶寬內(nèi)存）”。

  芯片說 IC TIME

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  12/11 10:10

  三星電子 HBM

  
• 3200億晶圓大廠建設(shè)成本飆漲

  “我們請(qǐng)您考慮與德克薩斯州泰勒晶圓廠合作，盡管美國政府計(jì)劃提供大量資金注入和補(bǔ)貼支持，但運(yùn)營該晶圓廠還有很多工作要做。”三星電子半導(dǎo)體(DS)部門新任代工部門負(fù)責(zé)人Jinman Han 于12月9日向該部門員工講述了投資正在建設(shè)的美國泰勒代工工廠的重要性，該工廠總投資約440億美元（3192.904億元人民幣），目標(biāo)是2026年開始運(yùn)營。

  芯片說 IC TIME

  676

  12/11 09:05

  三星電子 晶圓代工廠

  
• 晶圓大廠4nm良率達(dá)70%

  三星電子晶圓代工部門將其主要工藝4納米的良率提高了近70%，并已開始進(jìn)行積極的客戶銷售。據(jù)業(yè)內(nèi)人士12月9日透露，三星電子代工4納米工藝的良率據(jù)稱近期已經(jīng)接近70%。去年年初只有30%左右，但最近兩年過去了，已經(jīng)穩(wěn)定下來，提高到了近70%。此前，Trend Force等一些市場研究公司宣稱，截至去年底，三星電子代工廠的4納米工藝良率達(dá)到了75%，但實(shí)際上，根據(jù)一家研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，最近這一數(shù)字已經(jīng)提高到近70%。

  芯片說 IC TIME

  999

  12/11 08:57

  晶圓代工 三星電子

  
• 三星晶圓代工2025年策略曝光

  被任命為三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門新任負(fù)責(zé)人的韓鎮(zhèn)萬（Jinman Han）社長在首次演講中宣布，他將重點(diǎn)關(guān)注“2納米工藝良率的顯著提高”和“擴(kuò)大成熟工藝業(yè)務(wù)”。

  芯片說 IC TIME

  994

  12/10 10:55

  晶圓代工 三星電子

  
• 晶圓大廠100名高管被裁，最快今日公布

  三星電子預(yù)計(jì)將在2025年開始大規(guī)模裁員，預(yù)計(jì)將于11月29日進(jìn)行半導(dǎo)體（DS）部門約100名高管被裁。三星半導(dǎo)體一年內(nèi)有100多名高管退休，這是史無前例的。有人擔(dān)心，更多的高管會(huì)選擇去國外，而不是數(shù)量有限的韓國公司。

  芯片說 IC TIME

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  11/29 14:06

  三星電子

  
• 晶圓大廠人事地震：3位CEO變更！

  三星電子會(huì)長李在镕通過更換IT電子部門負(fù)責(zé)人的職位開始了改革。三星全球研究院成立了新的總裁級(jí)組織管理審計(jì)辦公室，并任命了前未來戰(zhàn)略室成員崔潤浩為三星SDI總裁。

  芯片說 IC TIME

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  11/29 11:30

  三星電子

  
• 這幾座先進(jìn)12英寸晶圓廠邁入新階段！

  晶圓代工領(lǐng)域再現(xiàn)兩大消息，臺(tái)積電高雄的2納米新廠于11月26日正式舉行設(shè)備進(jìn)機(jī)典禮，這是臺(tái)積電在中國臺(tái)灣高雄的首座12英寸晶圓廠，顯示臺(tái)積電正式從建廠轉(zhuǎn)到生產(chǎn)階段；另外昨日，英特爾宣布與美國商務(wù)部達(dá)成協(xié)議，美國商務(wù)部將為英特爾在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州四地的12英寸晶圓廠和先進(jìn)封裝等項(xiàng)目提供高達(dá)78.6億美元的直接資助。據(jù)悉，俄亥俄州主要專攻先進(jìn)制程。

  全球半導(dǎo)體觀察

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  11/29 10:30

  晶圓代工 晶圓廠

  
• 深度丨EUV光刻機(jī)巨頭風(fēng)云爭奪戰(zhàn)

  各大巨頭在未來仍將圍繞High-NA EUV設(shè)備展開激烈競爭，爭相導(dǎo)入或宣布市場進(jìn)展，預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪技術(shù)革新。目前，英特爾、臺(tái)積電、三星、SK海力士等晶圓制造大廠已紛紛對(duì)High-NA EUV光刻機(jī)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的關(guān)注與行動(dòng)。

  AI芯天下

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  11/28 10:50

  光刻機(jī) EUV光刻機(jī)

  
• 晶圓大廠高管地震：2人晉升、7人變更！

  11月27日，三星電子宣布對(duì)2025屆總裁進(jìn)行例行人事變動(dòng)，共有9人，其中2人晉升為總裁，7人職責(zé)變更。陷入危機(jī)的三星實(shí)施了總裁改組，重點(diǎn)是存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。未來，內(nèi)存業(yè)務(wù)將由 CEO 和副會(huì)長直接管理，而不設(shè)單獨(dú)的總裁。

  芯片說 IC TIME

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  11/27 14:46

  三星電子

  
• 三星已通知部分高管卸任，最快明日公布

  據(jù)悉，三星電子最早將于11月27日進(jìn)行年終人事變動(dòng)。由于三星電子會(huì)長李在镕透露了克服危機(jī)的強(qiáng)烈意愿，預(yù)計(jì)重點(diǎn)將放在恢復(fù)三星的超高競爭力上。

  芯片說 IC TIME

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  11/26 15:20

  三星電子

  
• 又一3nm芯片開始量產(chǎn)

  三星電子已經(jīng)開始量產(chǎn)工作，在計(jì)劃于明年發(fā)布的可折疊手機(jī)“Galaxy Z Flip 7”中安裝自己的應(yīng)用處理器（AP）。此次量產(chǎn)能否為三星電子半導(dǎo)體（DS）部門的晶圓代工和系統(tǒng)LSI部門提供復(fù)蘇的機(jī)會(huì)，備受關(guān)注。

  芯片說 IC TIME

  1131

  11/15 10:44

  三星電子 3nm芯片

  
• 晶圓大廠又變現(xiàn)降薪！大批跳槽！

  隨著三星電子將其半導(dǎo)體研究中心的精英研究人員重新部署到存儲(chǔ)器部門、系統(tǒng)LSI和代工部門，由于高管和員工（包括一些碩士和博士級(jí)別員工）的績效獎(jiǎng)金可能會(huì)減少，因此人員離職的擔(dān)憂日益加劇。

  芯片說 IC TIME

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  11/14 09:28

  三星電子

  
• 三星SK海力士明年下半年量產(chǎn)12層HBM4

  據(jù)相關(guān)行業(yè)人士11月9日透露，三星電子和SK海力士計(jì)劃從明年下半年開始量產(chǎn)12層HBM4。半導(dǎo)體公司計(jì)劃從 HBM4 開始認(rèn)真應(yīng)用新工藝“混合鍵合”。哪家公司首先穩(wěn)定應(yīng)用混合鍵合技術(shù)將決定HBM4市場的勝負(fù)。

  芯片說 IC TIME

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  11/11 09:18

  三星電子 SK海力士

  
• 三星 VS SK海力士：朝鮮半島的另一場硬仗

  韓國交易所27日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星電子和SK海力士的市值份額差距縮至近13年來的最小水平。具體來看，以10月25日為準(zhǔn)，三星電子普通股市值為333.71萬億韓元（約合人民幣1.7萬億元），占韓國綜指（KOSPI）整體市值的15.85%，降至近8年多的最低水平；SK海力士普通股市值為146.328萬億韓元，占KOSPI的6.95%，創(chuàng)下歷史新高。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  1193

  11/04 11:30

  三星電子 SK海力士

  
• 英特爾的麻煩，三星也有

  整個(gè) 9 月，英特爾一直是人們津津樂道的話題，高通擬收購英特爾，Arm 擬收購英特爾產(chǎn)品部門，英特爾本身的收購討論頻頻出現(xiàn)，成為焦點(diǎn)也就不足為奇了。以 9 月底的收盤價(jià)計(jì)算，英特爾的股價(jià)為 23.46 美元。英特爾的市值約為 1000 億美元，低于英偉達(dá)（NVIDIA）的 3 萬億美元，甚至低于 AMD 的 3000 億美元，因此成為企業(yè)收購的目標(biāo)也在情理之中。

  芯世相

  1056

  10/28 12:20

  英特爾 三星電子

  
• 三星退出LED業(yè)務(wù)給誰機(jī)會(huì)？

  三星電子宣布退出LED業(yè)務(wù)，此前LG已經(jīng)在2020年宣布退出LED業(yè)務(wù)。韓國兩大電子企業(yè)都退出了LED業(yè)務(wù)。這個(gè)市場的份額有限，需求也降低，這也是三星和LG相繼退出這個(gè)領(lǐng)域的原因所在。

  小刀馬

  888

  10/25 12:33

  led 三星電子

  
• 三星開始開發(fā)第二代2nm芯片

  三星電子正在開始下一代 Exynos 的開發(fā)，計(jì)劃安裝在Galaxy S27 上。在自家移動(dòng)應(yīng)用處理器（AP）的開發(fā)進(jìn)程并不順利的情況下，例如最近的“Exynos 2500”遇到良率問題，三星電子有望通過該產(chǎn)品恢復(fù)其實(shí)力。由于該芯片是通過2nm工藝生產(chǎn)的，這將是下一代代工廠的戰(zhàn)場，因此這是一項(xiàng)與確?？蛻魡栴}相關(guān)的重要任務(wù)。

  芯片說 IC TIME

  880

  10/23 14:45

  三星電子 2nm芯片

  
• 又一條10nm產(chǎn)線！年底建成！

  三星電子正在開發(fā)的1c DRAM（第六代10納米級(jí)DRAM）正在成為半導(dǎo)體行業(yè)的最大話題。1c DRAM是三星電子、SK海力士等預(yù)計(jì)明年開始量產(chǎn)的下一代存儲(chǔ)器。三星電子計(jì)劃在今年年底前建成第一條 1c DRAM 量產(chǎn)線。

  芯片說 IC TIME

  1334

  10/22 08:52

  dram 三星電子

  
• 中韓存儲(chǔ)芯片差距縮至三代！

  根據(jù)三星電子10月8日在臨時(shí)業(yè)績公告中發(fā)布了單獨(dú)的說明材料，并表示“業(yè)績受到中國存儲(chǔ)器公司傳統(tǒng)產(chǎn)品供應(yīng)增加的影響”。這是第一次專門提及中國存儲(chǔ)器企業(yè)的進(jìn)展。這意味著中國的增長非同尋常。事實(shí)上，以CX存儲(chǔ)為代表的中國內(nèi)存企業(yè)正在積極投資、招募人才，以實(shí)現(xiàn)擊敗三星電子成為全球第一內(nèi)存公司的目標(biāo)。業(yè)內(nèi)人士分析，不僅是產(chǎn)能，技術(shù)也在快速進(jìn)步。

  芯片說 IC TIME

  1228

  10/15 09:00

  dram 三星電子

  

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