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本技術(shù)說(shuō)明提供了關(guān)于54AC16373器件的總離子輻照劑量（TID）和單事件效應(yīng)（SEE）的詳細(xì)信息，這些內(nèi)容涵蓋了QML-V-RHA質(zhì)量認(rèn)證。其中包括：
- TID結(jié)果達(dá)到300 krad（Si）
- SEE結(jié)果：
- 顯示單事件激活鎖定（SEL）在有效線(xiàn)性能量傳輸（有效LET）為120 MeV-cm2/mg時(shí)的免疫性。
- 包括單事件瞬變（SET）和單事件干擾（SEU）特性描述。
以下是54AC16373器件的TID測(cè)試參數(shù)、條件和結(jié)果。 54AC16373是一款耐輻射的16位D型鎖存器三態(tài)器件。它通過(guò)了最高300 krad（Si）的質(zhì)量認(rèn)證。
通過(guò)五個(gè)測(cè)試載體：54AC14、54AC174、54AC244、54AC374和54AC164245對(duì)ACMOS邏輯系列進(jìn)行了重離子特性化測(cè)試。選擇這些測(cè)試載體是因?yàn)樗鼈兇砹嗽摷夹g(shù)
下載ECAD模型
