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介紹
三端雙向可控硅開關(guān)和可控硅開關(guān)是功率半導(dǎo)體，通常直接連接到電網(wǎng)。眾所周知，交流電網(wǎng)電壓在很短的時(shí)間內(nèi)可能會(huì)受到重要電壓變化的高度干擾，例如機(jī)械繼電器觸點(diǎn)反彈、通用電機(jī)干擾。一些電磁標(biāo)準(zhǔn)描述了如何對(duì)電器進(jìn)行測(cè)試，以檢查其對(duì)此類事件的免疫力。例如，IEC 61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)分別給出了快速瞬態(tài)電壓的測(cè)試程序和抗擾度要求。
為了提高功率半導(dǎo)體器件的抗擾度，大多數(shù)設(shè)計(jì)者在功率器件控制端子（SCR或三端雙向可控硅開關(guān)的柵極）及其參考端子（SCR和三端雙向晶閘管分別為K或A1）兩端添加電容器。該電容器有助于穩(wěn)定控制端電位，因此被認(rèn)為有助于增加對(duì)快速電壓上升（dV/dt）的電阻。由于該電容器也放置在功率設(shè)備和控制電路之間，控制電路可以是邏輯門或微控制器單元（MCU），因此它在從線路到敏感控制電路的路徑上充當(dāng)濾波器，并幫助過(guò)濾來(lái)自線路干擾的噪聲。
本文證明了為什么柵極到陰極電容器不能有效地提高三端雙向可控硅開關(guān)對(duì)快速電壓瞬變的免疫力，尤其是對(duì)于非敏感器件。該應(yīng)用說(shuō)明表明，這種電容器會(huì)增加重復(fù)或意外高dI/dt的故障風(fēng)險(xiǎn)。
本申請(qǐng)說(shuō)明中的結(jié)果是經(jīng)過(guò)相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間產(chǎn)生的。一些產(chǎn)品可能不再可用，這些產(chǎn)品被用作呈現(xiàn)這些結(jié)果的示例。然而，所給出的結(jié)果適用于所有類別和類型的產(chǎn)品，因此同樣適用于市場(chǎng)上可用的類似產(chǎn)品。
下載ECAD模型
