負(fù)載VSWR如何影響非線性電路應(yīng)用說明手冊(cè)

引言

考慮以下場景：您正在設(shè)計(jì)寬帶C類功率放大器并將其投入生產(chǎn)。在你的設(shè)計(jì)階段，你要遵循所有的科學(xué)規(guī)則，還要深入研究你的電子技巧，以滿足設(shè)計(jì)規(guī)范。你的設(shè)計(jì)在實(shí)驗(yàn)室里制造并測試成功。實(shí)驗(yàn)室里又建造了25個(gè)單元，它們的測試結(jié)果也很好。

確信設(shè)計(jì)和生產(chǎn)程序都令人滿意，您就可以開始批量生產(chǎn)了。但當(dāng)?shù)谝慌鷨卧_(dá)到RFtest時(shí)，就不符合規(guī)范。當(dāng)你取回這些單元時(shí)，它們?cè)趯?shí)驗(yàn)室測試正常。這些放大器出了什么問題？可能什么都沒有。這種情況，以一種或另一種形式，在非線性RF電路的設(shè)計(jì)和制造中非常常見。罪魁禍?zhǔn)资菧y試系統(tǒng)的相關(guān)性。0.5 dB的差值足以使非常好的單元失效，導(dǎo)致不必要且昂貴的重新測試甚至返工。更糟糕的是，一個(gè)半dB的錯(cuò)誤將通過不符合規(guī)格且永遠(yuǎn)不應(yīng)該發(fā)貨的單元。

這種相關(guān)性誤差將破壞更重要的功能，即保持產(chǎn)品連續(xù)性。1982年制造的設(shè)備應(yīng)與1976年制造的相同型號(hào)設(shè)備性能相同。另一種說法是，在1982年的測試系統(tǒng)中測試的設(shè)備在1976年的系統(tǒng)中測試時(shí)應(yīng)該產(chǎn)生相同的結(jié)果。當(dāng)然，關(guān)鍵是射頻相關(guān)性。

什么是射頻相關(guān)性？簡單地說，當(dāng)在兩個(gè)或多個(gè)測試站之間建立并連續(xù)遵守目標(biāo)誤差極限時(shí)，就會(huì)發(fā)生RF相關(guān)性。這種相關(guān)性對(duì)于非線性RF和微波功率放大器的成本效應(yīng)生產(chǎn)至關(guān)重要，無論是在測試系統(tǒng)還是設(shè)備環(huán)境中，這些放大器的電路對(duì)其負(fù)載的阻抗都非常敏感。補(bǔ)償衰減器中的插入損耗誤差很容易，但補(bǔ)償衰減器焊盤之間的輸入阻抗差（即負(fù)載VSWR）的變化要困難得多。
讓我們從經(jīng)驗(yàn)和理論兩個(gè)層面來研究射頻相關(guān)性。