SOT115J封裝中的混合放大器模塊,工作電壓為24 V (DC)。
特性
- 良好的線性度
- 極低的噪音
- 卓越的回波損耗性能
- 氮化硅鈍化
- 堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)
- 黃金金屬化確保卓越的可靠性
加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:
SOT115J封裝中的混合放大器模塊,工作電壓為24 V (DC)。
特性
器件型號(hào) | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | ECAD模型 | 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) | 參考價(jià)格 | 更多信息 |
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D38999/26WD35SN | 1 | ITT Interconnect Solutions | MIL Series Connector, 37 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Plug, |
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$57.63 | 查看 | |
33012-2001 | 1 | Molex | Wire Terminal, 1.5mm2, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
ECAD模型 下載ECAD模型 |
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$0.12 | 查看 | |
BSZ025N04LSATMA1 | 1 | Infineon Technologies AG | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSDSON-8FL, 8 PIN |
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$2.25 | 查看 |
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
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