基于PI LinkSwitch-TN2 LNK3294GP 的 1.44 W 之電源供應(yīng)器方案

Power Integrations，近日推出LinkSwitc-TN2 系列 IC，此系列適用于非隔離離線式電源供應(yīng)器，且應(yīng)屬高度整合(內(nèi)建Mosfet與控制器)，可大幅提高效能與節(jié)省空間，相較于傳統(tǒng)線性或電容式降壓器更具優(yōu)勢(shì)。

所有裝置中內(nèi)建的半導(dǎo)體，除了以往傳統(tǒng)的耐壓為725V外，更是推出了高達(dá)耐壓900V的MOSFET，使得設(shè)計(jì)與應(yīng)用方面更為彈性，
其控制器也包含了振蕩器、于輕負(fù)載時(shí)實(shí)現(xiàn)最高效率的開(kāi)/關(guān)控制、自偏壓的高電壓切換電流源、頻率抖動(dòng)(Jitter)、current limit(可調(diào)整)、磁滯回復(fù)過(guò)熱關(guān)機(jī)，以及輸出和輸入過(guò)壓保護(hù)電路，除了大大降低空間成本，并具有更高的可靠性。此系列支援降壓式、升降壓式和返馳式轉(zhuǎn)換器架構(gòu)。
LinkSwitch-TN2 IC 的待機(jī)電流消耗極低，因此可讓電源供應(yīng)器設(shè)計(jì)滿足滿足法規(guī)所需求之無(wú)負(fù)載和待機(jī)規(guī)格，此系列支援降壓式、升降壓式和返馳式轉(zhuǎn)換器架構(gòu)。

LinkSwitch-TN2 IC 可依據(jù)不同應(yīng)用,簡(jiǎn)單的借由外部?jī)深w回授電阻來(lái)調(diào)整所需的輸出電壓,除了常用的12Vdc output,也可運(yùn)用在3.3Vdc or 5Vdc用以供應(yīng)OPA/MCU/Relay的零件電源,或者對(duì)于小瓦數(shù)且需要on board的需求,19Vdc or 24Vdc或是大型sever power的standby power,都是常用的范圍,甚至其它特殊電壓的應(yīng)用,皆可隨著負(fù)載端而調(diào)整，所以使用上更顯得多樣，同時(shí)無(wú)論是何種應(yīng)用，PI因內(nèi)建控制器與高壓Mosfet屬同一制程,是與它廠integrate的solution最大不同的地方，尤其反映在產(chǎn)品的Performance，因?yàn)樘匦愿茫墒∪セ蚩s小周邊諸多的需求，對(duì)于空間，版材大小，零件選用等等，都是相對(duì)于有優(yōu)勢(shì)的。

LinkSwitchTM-TN2 LNK3294G/P for 1.44W 非隔離降壓式Power Supply，常應(yīng)用于大功率系統(tǒng)內(nèi)的AUX Power應(yīng)用，來(lái)因應(yīng)用已提供PWM訊號(hào)的MCU電源，以及提供擷取電壓/電流/溫度等各種保護(hù)需求訊息的OPA電源,來(lái)給予MCU判斷，做進(jìn)一步的控制，針對(duì)目前由類比漸漸轉(zhuǎn)為數(shù)位的電源市場(chǎng)，擁有更簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)于版上，同時(shí)空間的節(jié)省，也可獨(dú)立利于小版上，避免Power loop干擾到訊號(hào)，此范例應(yīng)用了更高耐壓等級(jí)的900V Mosfet，也適用于輸入電壓范圍更高的應(yīng)用，并保持零件該有的Rating規(guī)范，最后IC內(nèi)建了多種保護(hù)Function(OV/OC/OT)，無(wú)須再額外多馀的線路，可在系統(tǒng)發(fā)生異常前，先行切斷所有的電源供應(yīng)，讓Power Shutdown，進(jìn)而保護(hù)產(chǎn)品本身Damage的風(fēng)險(xiǎn)。

核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)

?最高效能與設(shè)計(jì)彈性
?支援降壓式、升降壓式與返馳式架構(gòu)
?優(yōu)異的負(fù)載和線間調(diào)節(jié)
?限電流的可選擇擇性，用已提供設(shè)計(jì)者需要的效率或是成本
?縮減磁性元件和輸出電容器的尺寸和成本(使用低成本現(xiàn)成降壓電感其即可)
?頻率抖動(dòng)(Jitter)功能可降低EMI濾波器復(fù)雜度
?利用Source Pin用以散熱，簡(jiǎn)化散熱成本與優(yōu)化EMI
?內(nèi)建多樣保護(hù)(OVP/OVL/OTP/Output short/Open Loop)
?待機(jī)供應(yīng)電流 <100μA
?使用外部偏壓時(shí)，無(wú)負(fù)載功耗低于30mW
?725V MOSFET額定值可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的突波承受度
?900V MOSFET系列適用于工業(yè)應(yīng)用或提供更大的安全幅度

方案規(guī)格

?900 V最大漏極電壓
?高度集成的解決方案，盡可能少的組件數(shù)量
?無(wú)需光耦進(jìn)行調(diào)節(jié)即可達(dá)到輸出電壓之調(diào)節(jié)范圍
?具有自動(dòng)恢復(fù)功能的熱過(guò)載保護(hù)
?空載功耗<30mW>73％
?<±5％負(fù)載調(diào)整率