硬件型號(hào):Teclast/臺(tái)電TF32GBU1G
系統(tǒng)版本:內(nèi)存卡系統(tǒng)
DDR2和DDR3的插槽是不一樣的,DDR3比DDR2頻率高,速度快,容量大,性能高。
既支持DDR2內(nèi)存卡還支持DDR3內(nèi)存卡的主板,其中2個(gè)是DDR2內(nèi)存卡的插槽,另外2個(gè)是DDR3內(nèi)存卡的插槽,但是不能同時(shí)使用2種類型的,只能選擇1種。
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory),是一種電腦存儲(chǔ)器規(guī)格。它屬于SDRAM家族的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,提供相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行性能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(四倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的后繼者(增加至八倍)。
DDR2內(nèi)存卡與DDR3內(nèi)存卡的區(qū)別如下:
1、防呆缺口不一樣:
DDR2內(nèi)存單面金手指120個(gè)(雙面240個(gè)),缺口左邊為64個(gè)針腳,缺口右邊為56個(gè)針腳。
DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個(gè)(雙面240個(gè)),缺口左邊為72個(gè)針腳,缺口右邊為48個(gè)針腳。
2、讀取數(shù)據(jù)的速度不一樣:
DDR2內(nèi)存卡預(yù)讀取能力為4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取。
DDR3內(nèi)存卡預(yù)讀取能力為16bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取。
3、使用電壓不同:
DDR2內(nèi)存卡的使用電壓為1.8V。
DDR3內(nèi)存卡的使用電壓為1.5V。