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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出第四代TLC三維閃存X3-9070

2022/08/03
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今日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))在2022年閃存峰會(huì)(FMS)上正式發(fā)布了基于晶棧?(Xtacking)3.0技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。相比長(zhǎng)江存儲(chǔ)上一代產(chǎn)品,X3-9070擁有更高的存儲(chǔ)密度,更快的I/O速度,并采用6-plane設(shè)計(jì),性能提升的同時(shí)功耗更低,進(jìn)一步釋放系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品潛能。

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)第四代TLC三維閃存X3-9070

自2018年問(wèn)世以來(lái),晶棧?(Xtacking)技術(shù)已成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)助推閃存行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵動(dòng)力之一。存儲(chǔ)陣列和外圍電路的混合鍵合工藝為閃存產(chǎn)品帶來(lái)了更高的密度、更快的I/O速度和更短的產(chǎn)品上市周期。隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧?3.0的推出,新一代X3系列閃存產(chǎn)品將為大數(shù)據(jù)5G、智能物聯(lián)(AloT)及其他領(lǐng)域的多樣化應(yīng)用帶來(lái)新的機(jī)遇。

經(jīng)歷了晶棧?從1.0到3.0的迭代發(fā)展,長(zhǎng)江存儲(chǔ)在三維異構(gòu)集成領(lǐng)域已積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),并基于晶棧?技術(shù)成功打造了多款長(zhǎng)江存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品,包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固態(tài)硬盤(pán),以及用于移動(dòng)通信和其他嵌入式應(yīng)用的eMMC、UFS等嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品,獲得了行業(yè)合作伙伴的廣泛好評(píng)。

“長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研晶棧?3.0架構(gòu)的問(wèn)世是其在3D NAND賽道上的重要突破,” Forward Insights 創(chuàng)始人兼首席分析師 Gregory Wong表示,“事實(shí)證明,存儲(chǔ)陣列和外圍邏輯電路的混合鍵合技術(shù)對(duì)推動(dòng)3D NAND 技術(shù)發(fā)展和創(chuàng)新至關(guān)重要。搭載先進(jìn)的閃存技術(shù)晶棧?3.0平臺(tái),X3-9070是一個(gè)關(guān)鍵的行業(yè)里程碑。這也預(yù)示著,存儲(chǔ)單元和外圍邏輯電路混合鍵合的技術(shù),將有望成為未來(lái)的行業(yè)主流。”

作為一款創(chuàng)新產(chǎn)品,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高質(zhì)量可靠性,并通過(guò)美國(guó)電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)(JEDEC)定義的多項(xiàng)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

X3-9070具有如下技術(shù)特點(diǎn):

  • 性能:X3-9070實(shí)現(xiàn)高達(dá)2400MT/s的I/O傳輸速率,符合ONFI5.0規(guī)范;相較于長(zhǎng)江存儲(chǔ)上一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了50%的性能提升;
  • 密度:得益于晶棧?3.0的架構(gòu)創(chuàng)新,X3-9070成為了長(zhǎng)江存儲(chǔ)歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品,能夠在更小的單顆芯片中實(shí)現(xiàn)1Tb的存儲(chǔ)容量;
  • 提升系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品體驗(yàn):得益于創(chuàng)新的6-plane設(shè)計(jì),X3-9070相比傳統(tǒng)4-plane,性能提升50%以上,同時(shí)功耗降低25%,能效比顯著提升,可為終端用戶帶來(lái)更具吸引力的總體擁有成本(TCO)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行副總裁陳軼表示:“X3-9070閃存顆粒是長(zhǎng)江存儲(chǔ)近年來(lái)在三維閃存領(lǐng)域的匠心之作,它擁有出色的性能表現(xiàn)和極高的存儲(chǔ)密度,能夠快速高效地應(yīng)用于主流商用場(chǎng)景之中。面對(duì)蓬勃發(fā)展的5G、云計(jì)算物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、人工智能等新技術(shù)帶來(lái)的全新需求和挑戰(zhàn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)將始終以晶棧?為基點(diǎn),不斷開(kāi)發(fā)更多高品質(zhì)閃存產(chǎn)品,協(xié)同上下游存儲(chǔ)合作伙伴,用晶棧?為存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)賦能,踐行‘成為存儲(chǔ)技術(shù)的領(lǐng)先者,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心價(jià)值貢獻(xiàn)者’的使命和責(zé)任?!?/p>

長(zhǎng)江存儲(chǔ)致力于成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈值得信賴的合作伙伴,持續(xù)拓展創(chuàng)新邊界,推動(dòng)三維閃存技術(shù)向更高、更快、更強(qiáng)發(fā)展。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月,總部位于“江城”武漢, 是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè),同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒, 嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品和解決方案,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、消費(fèi)數(shù)碼、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月,總部位于“江城”武漢, 是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè),同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒, 嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品和解決方案,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、消費(fèi)數(shù)碼、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心。收起

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