長電科技實(shí)現(xiàn)4納米芯片封裝，先進(jìn)封測技術(shù)取得持續(xù)突破

近日,全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長電科技宣布,公司在先進(jìn)封測技術(shù)領(lǐng)域又取得新的突破,實(shí)現(xiàn)4納米(nm)工藝制程手機(jī)芯片的封裝,以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝。

4納米芯片是5納米之后、3納米之前最先進(jìn)的硅節(jié)點(diǎn)技術(shù),也是導(dǎo)入小芯片(Chiplet)封裝的一部分。作為集成電路領(lǐng)域的頂尖科技產(chǎn)品之一,4納米芯片可被應(yīng)用于智能手機(jī)、5G通信、人工智能、自動(dòng)駕駛,以及包括GPU、CPU、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、專用集成電路(ASIC)等產(chǎn)品在內(nèi)的高性能計(jì)算(HPC)領(lǐng)域。

在市場的不斷推動(dòng)下,包括消費(fèi)電子等領(lǐng)域產(chǎn)品不斷朝向小型化與多功能化發(fā)展,芯片尺寸越來越小、種類越來越多,對先進(jìn)封測技術(shù)的需求也越來越高。諸如4納米等先進(jìn)工藝制程芯片,需要先進(jìn)的封裝技術(shù)以確保其更好的系統(tǒng)級(jí)電學(xué)、熱學(xué)性能。

同時(shí),封裝技術(shù)也在向多維異構(gòu)發(fā)展。相比于傳統(tǒng)的芯片疊加技術(shù),多維異構(gòu)封裝通過導(dǎo)入硅中介層、重布線中介層及其多維結(jié)合,來實(shí)現(xiàn)更高維度芯片封裝。該中介層封裝的另一特點(diǎn)是能夠優(yōu)化組合不同的密度布線和互聯(lián)從而達(dá)到性能和成本的有效平衡。

2021年7月,長電科技推出的XDFOI™多維先進(jìn)封裝技術(shù),就是一種面向小芯片的極高密度、多扇出型封裝高密度異構(gòu)集成解決方案,其利用協(xié)同設(shè)計(jì)理念實(shí)現(xiàn)了芯片成品集成與測試一體化,涵蓋2D、2.5D、3D集成技術(shù),能夠?yàn)榭蛻籼峁某Ｒ?guī)密度到極高密度,從極小尺寸到極大尺寸的一站式服務(wù)。

面向未來,長電科技將依托自身豐富技術(shù)沉淀和全球資源,聚焦先進(jìn)封裝等技術(shù)和工藝,持續(xù)提升創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化能力;同時(shí),將不斷加深與產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同合作,共同推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。