兆易創(chuàng)新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問世

業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi)，其功耗、電壓范圍等方面均實現(xiàn)了進一步提升，為消費電子、可穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測設備等對電池壽命和緊湊型設計有著嚴苛需求的應用提供了理想選擇。

如今，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池供電的應用場景中，兆易創(chuàng)新對“小而精”的追求從未停止，這對應用其中的存儲產(chǎn)品提出了更高的要求。一方面，需要提供足夠的代碼存儲空間來滿足設備正常運行需求；另一方面，也需要在尺寸和功耗方面追求精益求精，以適應電子設備日益小型化的趨勢。

針對這一市場需求，兆易創(chuàng)新推出的GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列采用僅為1.2mm×1.2mm的超小型USON6封裝，相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封裝產(chǎn)品，縮小了高達36%的占板面積，為空間受限的產(chǎn)品提供了更大的設計自由度。在低功耗設計方面，兆易創(chuàng)新將GD25WDxxK6系列的功耗控制在極低水平內(nèi)，在待機狀態(tài)下，電流僅為0.1μA，可顯著延長電子設備的電池壽命。

此外，為滿足便攜式電子產(chǎn)品的存儲需求，GD25WDxxK6提供單通道、雙通道SPI模式，具有1.65V~3.6V寬電壓工作范圍，支持512Kb~4Mb不同容量的選擇，最高時鐘頻率可達104MHz，擁有10萬次的擦寫壽命，數(shù)據(jù)有效保存期限可達20年，且全系列支持-40℃~85℃，-40℃~105℃，-40℃~125℃溫度范圍。

兆易創(chuàng)新存儲事業(yè)部執(zhí)行總監(jiān)陳暉先生表示：“隨著萬物互聯(lián)時代下的數(shù)據(jù)狂潮席卷而來，電子設備對于存儲產(chǎn)品不斷發(fā)出挑戰(zhàn)，而兆易創(chuàng)新要做的就是從挑戰(zhàn)中尋求突破。此次推出的1.2mm×1.2mm的超小型USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash，在方寸之間實現(xiàn)了優(yōu)異性能。從小尺寸到低功耗，兆易創(chuàng)新從用戶需求出發(fā)，不斷推陳出新，再次將我們‘創(chuàng)新’的DNA發(fā)揮得淋漓極致?！?/p>

目前兆易創(chuàng)新GD25WDxxK6系列中512Kb~1Mb容量產(chǎn)品已全面量產(chǎn)；2Mb~4Mb容量產(chǎn)品可提供樣片，預計在8月中旬實現(xiàn)量產(chǎn)，客戶可聯(lián)絡銷售代表或授權(quán)代理商了解相關(guān)的信息。