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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設(shè)計挑戰(zhàn)

2022/06/21
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隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展,市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展,設(shè)計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權(quán)衡取舍的挑戰(zhàn),安森美(onsemi)基于新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)的方案,有助于變革性地優(yōu)化UPS設(shè)計。

安森美是領(lǐng)先的智能電源方案供應(yīng)商之一,也是全球少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商,提供先進的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術(shù),以及廣泛的分立器件、門極驅(qū)動器等周邊器件,滿足低、中、高功率UPS 設(shè)計的各種要求,加之技術(shù)團隊的應(yīng)用支援,幫助設(shè)計人員解決上述挑戰(zhàn),滿足大數(shù)據(jù)時代不斷增長的需求。本文重點介紹安森美應(yīng)用于UPS的SiC方案。

圖1:在線式UPS典型框圖(橙色代表安森美能提供的產(chǎn)品)

在線式UPS更適合大功率應(yīng)用場景
UPS系統(tǒng)廣泛用于保護從電信和數(shù)據(jù)中心到各種工業(yè)設(shè)施等各種應(yīng)用中的關(guān)鍵組件的電源,提供過濾功能和補償電網(wǎng)的短期停電,確??煽康碾妷汗?yīng)。按工作原理,UPS分為離線式UPS、在線互動式UPS和在線式UPS。離線式UPS和在線互動式UPS結(jié)構(gòu)簡單、成本低,在輸入沒有異常的情況下,能效高,但存在切換時間長,激活電池供電的情況多,輸出精度低。所以目前針對數(shù)據(jù)中心等大功率UPS需求的場所,在線式UPS是最常用的,在線式UPS也稱為雙變換式UPS,無論市電是否正常,負載的全部功率均由逆變器給出,所以沒有間斷,輸出質(zhì)量高,經(jīng)過高頻脈寬調(diào)制(PWM)后,整體波形總諧波失真(THD)小,頻率波動小,但價格高,控制復(fù)雜。

新一代UPS的設(shè)計挑戰(zhàn)和考量
為了應(yīng)對持續(xù)增長的電能保護需求,新一代UPS需具有以下特點:

  • 更高的輸出功率:大型數(shù)據(jù)中心對UPS要求很高,一臺3相輸出的UPS的母線電壓是800 V。模塊化UPS可拓展、高冗余,通過連接多個產(chǎn)品能達到100 kVA更大輸出功率,以應(yīng)對大型數(shù)據(jù)中心的需求
  • 0切換時間:相較離線式UPS的2到10 ms切換時間,在線式UPS具有0切換時間,以應(yīng)對各種情況下的緊急問題
  • 具有調(diào)節(jié)輸入電壓和優(yōu)化輸出電壓的能力,以減少電池的使用頻率,從而增加使用時間,節(jié)省成本
  • 優(yōu)秀的散熱能力,減少本身由散熱器帶來的重量和成本,同時有能力在受限的空間里增加額外的功率模塊

為了實現(xiàn)這些特性,我們需要權(quán)衡考慮以下因素:

  • 控制總擁有成本(TCO, Total Cost of Ownership),包括生產(chǎn)成本、運輸安裝和后期維護的成本,以及存放設(shè)備的空間成本等。需要去考慮如何減小散熱片、電感電解電容以及風扇所占的空間和重量。
  • UPS的可拓展化,模塊化UPS的一個巨大優(yōu)勢就是可拓展,當需要增加容量時,只需要添加一個電源模塊,一個模塊尺寸重量較小,即使一個人也可以完成安裝,大大減少了成本。
  • 采用在線式UPS,在線式UPS相比其它種類的UPS能夠處理更多輸入電能質(zhì)量問題,減少電池使用頻率,同時其高頻逆變器能夠輸出高質(zhì)量高效率的正弦信號為負載供電。
  • 拓撲對系統(tǒng)性能和能效的影響,3電平拓撲比2電平拓撲能效更高,在額定功率下,更高能效意味著更小的散熱器和更好的可靠性,最關(guān)鍵的是電平數(shù)的增加使得電壓輸出更接近正弦波,但復(fù)雜的控制算法、更多的器件以及開關(guān)管數(shù)量增加會導(dǎo)致成本增加,設(shè)計人員需要在性能和價格之間權(quán)衡取舍。
  • 使用SiC作為開關(guān)器件。

安森美用于UPS的SiC方案:陣容廣,性能優(yōu)
由于SiC具有更高的耐壓能力、更低的損耗以及更高的導(dǎo)熱率,可賦能UPS設(shè)計更高的功率密度和優(yōu)化的系統(tǒng)成本,較低的系統(tǒng)損耗和更高的系統(tǒng)能效。安森美在SiC領(lǐng)域有著深厚的歷史積淀,垂直整合模式確??煽康钠焚|(zhì)和供應(yīng)。

圖2:安森美SiC的領(lǐng)先地位

安森美的SiC MOSFET和SiC二極管產(chǎn)品線非常豐富,包含各種電壓等級。SiC ?MOSFET從650 V到1200 V,并且即將發(fā)布1700 V的產(chǎn)品,SiC二極管則是從650 V到1700 V都具備。對于UPS來說,SiC ?MOSFET主要選擇Rdson更小的產(chǎn)品。如安森美適用于UPS的1200 V M3S SiC MOSFET比領(lǐng)先行業(yè)的競爭對手減少達20%的功率損耗,原因是其使用更大尺寸的晶片(die),從而減少Rdson。

圖3:安森美的SiC方案陣容廣,性能優(yōu)

安森美目前主推的4-pin SiC MOSFET,相比3-pin的產(chǎn)品,額外的一根開爾文引腳(Kelvin Source)可消除源極引腳上的寄生電感,可提供更快的開關(guān)速度,從而降低導(dǎo)通損耗。

隨著UPS的單元功率逐漸增加,也會有更多的設(shè)計人員考慮模塊產(chǎn)品,將許多不同功能、大小的晶圓如IGBT、二極管封裝在一個模塊里,可減小由于單管引腳帶來的雜散電感,降低器件在快速關(guān)斷時產(chǎn)生的電壓應(yīng)力,減少生產(chǎn)流程的工序,提高產(chǎn)線效率,減輕了電氣和結(jié)構(gòu)研發(fā)設(shè)計人員的工作量,避免了因為單管工藝復(fù)雜造成的產(chǎn)品不良率,也讓BOM的采購和供應(yīng)鏈變得簡單,縮短了產(chǎn)品投入市場的時間。而且從系統(tǒng)集成的角度來分析,模塊的高成本是可以被其他優(yōu)點攤薄的,例如簡化生產(chǎn)流程和PCB的設(shè)計,高功率密度,較低的散熱系統(tǒng)成本,簡單的絕緣設(shè)計等。由于組裝模塊時的晶片都來自同一片晶圓上相鄰的器件,晶片的一致性更高,這有利于晶片并聯(lián)均流,增加了系統(tǒng)的長期運行可靠性。

安森美的半橋1200 V SiC MOSFET 2-PACK模塊,含有2顆1200 V M1 SiC MOSFET,和一顆熱敏測溫電阻, Rdson非常低。它具有2種封裝,F(xiàn)2封裝NXH006P120MNF2的尺寸是F1 封裝NXH010P120MNF1的一倍,更適合大功率的產(chǎn)品。同時,尺寸更大的die能改減少熱阻,增加可經(jīng)過的電流。安森美的900 V M2 SiC MOSFET 維也納模塊NXH020U90MNF2由兩個900 V開關(guān)和2個1200 V SiC二極管組成,維也納拓撲常用于PFC,相比其它的3電平方案,維也納拓撲具有器件少,控制簡單的特點。
除此之外,安森美的多通道SiC boost模塊系列如下表,可用于電池充放電部分。
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不同模塊的損耗對比
我們在一個boost升壓電路對不同模塊進行了對比,SiC MOSFET的導(dǎo)通損耗比IGBT混合模塊低1到2倍,其關(guān)斷損耗Eoff低5倍以上。這對提高系統(tǒng)開關(guān)頻率,降低損耗意義很大。若在相同的開關(guān)頻率下,全SiC模塊較混合模塊的溫升和損耗更低,允許使用更小更經(jīng)濟的散熱器,或者說散熱條件一樣時可以輸出更高的功率。換一種評估方式,假設(shè)每路輸出功率10 kW,隨著開關(guān)頻率的增加,由于較大的開關(guān)損耗,IGBT的結(jié)溫和損耗遠高于SiC MOSFET,因而全SiC 模塊在減小電感值、電感尺寸和重量方面有巨大優(yōu)勢。

圖4. 不同模塊的損耗對比

總結(jié)
SiC有助于變革性地優(yōu)化UPS設(shè)計,滿足大數(shù)據(jù)時代UPS小型化、高容量化、高效化的要求。安森美在SiC領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,是世界上少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商之一,為UPS提供多種電壓等級的高能效、高性能SiC MOSFET、SiC二極管、全SiC模塊和混合SiC模塊,配合安森美針對SiC優(yōu)化的門極驅(qū)動器、傳感、隔離和保護IC等周邊器件和應(yīng)用支援,幫助設(shè)計人員在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間做出最佳的權(quán)衡取舍。更多的UPS方案,請點擊這里查看。

安森美

安森美

歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標準模擬和標準邏輯等器件。并購紀錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產(chǎn)生;時鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標準邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達荷州波卡特洛、愛達荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社

歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標準模擬和標準邏輯等器件。并購紀錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產(chǎn)生;時鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標準邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯汀(Austin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達荷州波卡特洛、愛達荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社收起

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