CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊,據(jù)JDI(日本顯示器公司)3月30日官網(wǎng)發(fā)布消息稱,其位于千葉縣茂原的G6工廠,成功開發(fā)出全球首個(gè)背板革新技術(shù),從根本上改善了目前傳統(tǒng)氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管 (OS-TFT) 的性能。進(jìn)一步將立即開始推進(jìn)該技術(shù)的商業(yè)化。
1. 新技術(shù)概要
新技術(shù)的可生成場(chǎng)效應(yīng)遷移率,是傳統(tǒng) OS-TFT 技術(shù)2 倍以上的高遷移率氧化物半導(dǎo)體 (HMO,High Mobility Oxide)技術(shù),以及傳統(tǒng) OS-TFT 技術(shù)4 倍以上的超高遷移率氧化物半導(dǎo)體 (UHMO,Ultra High Mobility Oxide)技術(shù)。UHMO在JDI G6量產(chǎn)線上的場(chǎng)效應(yīng)遷移率為52cm2/Vs,氧化物半導(dǎo)體TFT在量產(chǎn)生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)了非常高速的特性??梢哉f,該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)與 LTPS 相同水平的導(dǎo)通電流,同時(shí)保持低截止漏電流。
另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是,雖然傳統(tǒng)的高遷移率 AMOLED 背板需要 LTPS 技術(shù),這將玻璃基板尺寸限制在 G6,但該技術(shù)可用于 G8 或更大的生產(chǎn)線。
晶體管I-V特性比較
據(jù)悉,JDI 稱該技術(shù)將極大地加速顯示技術(shù)創(chuàng)新,并有助于提高 OLED 和 LCD 顯示性能,包括:
顯示器的低功耗
提高VR/AR顯示性能,更高分辨率和更高刷新率,為用戶帶來更深的沉浸感和現(xiàn)實(shí)融合
可提高透明顯示器的更高透明度和圖像質(zhì)量,以及實(shí)現(xiàn)顯示器的大尺寸化
低功耗 提高影像的真實(shí)感和臨場(chǎng)感
傳統(tǒng)的 OS-TFT 技術(shù)存在偏置溫度應(yīng)力 (BTS) 的問題,當(dāng)試圖獲得高場(chǎng)效應(yīng)遷移率時(shí),這會(huì)導(dǎo)致可靠性差和圖像劣化問題出現(xiàn)。一直以來,高場(chǎng)效應(yīng)和BST二者難以共存的問題成為需要解決的課題。
此次, JDI通過利用多年來在OS-TFT積累的制造工藝專有技術(shù),克服困難,實(shí)現(xiàn)了具有卓越特性的全新OS-TFT突破性技術(shù)。該技術(shù)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高場(chǎng)效應(yīng)遷移率和穩(wěn)定的BTS,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了OS-TFT的低截止漏電流和LTPS的圖像驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性。
該技術(shù)采用了日本出光興產(chǎn)株式會(huì)社開發(fā)的結(jié)晶氧化物材料
場(chǎng)效應(yīng)遷移率比較
偏置溫度應(yīng)力變化特性比較
2. 未來展望
(1) 關(guān)于量產(chǎn)計(jì)劃:已經(jīng)和客戶進(jìn)行了關(guān)于該技術(shù)量產(chǎn)日期的商談,目前計(jì)劃從2024年開始量產(chǎn)。
(2) 關(guān)于銷售目標(biāo):JDI預(yù)計(jì)該突破性技術(shù),今后在顯示類型和客戶應(yīng)用中具有極其廣泛的應(yīng)用。計(jì)劃將該技術(shù)與下一代 OLED 技術(shù)相結(jié)合,以擴(kuò)大 G6 可穿戴設(shè)備生產(chǎn),2025財(cái)年約 250 億日元(約人民幣13億元),2026財(cái)年為 500 億日元(約人民幣26億元)。
(3) 關(guān)于技術(shù)開發(fā)成本:由于該技術(shù)建立在 JDI 多年積累的背板技術(shù)核心研發(fā)技術(shù)之上。因此,商業(yè)化所需的額外費(fèi)用將低于 10 億日元。
(4) 對(duì)業(yè)績(jī)影響:預(yù)測(cè)對(duì)2022年3月期業(yè)績(jī)影響不大,但將加強(qiáng) JDI 的全球顯示技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位,并推動(dòng) JDI 的長(zhǎng)期可持續(xù)增長(zhǎng),為中長(zhǎng)期企業(yè)價(jià)值提升做出貢獻(xiàn)。