三星3nm工廠即將動工，首發(fā)GAA工藝功耗直降50%

三星電子代工部門最近深陷負面?zhèn)髀勚?。先是有消息稱涉嫌偽造并虛報 5nm、4nm 和 3nm 工藝良率，讓高通等 VIP 客戶不得不另投臺積電，近日又被黑客竊走 200GB 數(shù)據(jù)。

不過從技術上來看，三星依然是唯一一家能夠緊跟臺積電的晶圓代工廠，而且三星在接下來的 3nm 節(jié)點上將更加激進，并想要在全球首次推出 GAA 晶體管工藝，放棄 FinFET 晶體管工藝（臺積電 3nm 工藝仍將基于 FinFET 工藝）。

三星正計劃在 2022 年上半年完成其 3nm GAA 工藝的質量評估。據(jù)韓國媒體報道，三星已經(jīng)準備好在韓國平澤市的 P3 工廠開工建設 3nm 晶圓廠，計劃于 6、7 月份動工，并及時導入設備。

根據(jù)三星的說法，與 7nm 制造工藝相比，3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了 45% 以上，功耗降低了 50%，性能提高了約 35%，紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺積電 3nm FinFET 工藝。

三星代工是三星的代工芯片制造業(yè)務部門，此前有消息稱其目前正在與客戶一起進行產(chǎn)品設計和批量生產(chǎn)的質量測試。該業(yè)務部門的目標是擊敗競爭對手臺積電，在 3nm GAA 領域獲得“世界第一”的稱號。然而三星能否在 3nm 的性能和產(chǎn)能上滿足客戶的要求還有待觀察。

韓國遠大證券的數(shù)據(jù)顯示，截至 2020 年，三星 Foundry 擁有的專利僅為 7000- 10000 項，而其競爭對手臺積電已獲得約 3.5 萬至 3.7 萬項專利。因此，業(yè)界認為三星認為缺乏 3nm 相關專利，這可能是個問題。

記者了解到，三星旗下 Galaxy 設備被黑客攻破，近 200GB 數(shù)據(jù)信息泄露，涉及合作伙伴高通機密數(shù)據(jù)，數(shù)億名 Galaxy 設備用戶正在面臨著新的潛在安全風險，引起業(yè)界關注。

除此之外，韓國媒體此前還報道稱，三星高管可能在試產(chǎn)階段捏造了其 5nm 以下工藝的芯片良率，以抬高三星代工業(yè)務的競爭力。隨后，三星啟動了對原本計劃擴大產(chǎn)能和保證良率的資金下落的調查，進一步了解半導體代工廠產(chǎn)量和良率情況。

據(jù)三星內部官員透露，“由于晶圓代工廠交付的數(shù)量難以滿足代工訂單需求，公司對非內存工藝的良率表示懷疑，事實上基于該良率是可以滿足訂單交付的。”另有業(yè)內人士透露，在三星為高通生產(chǎn)的驍龍 4nm 制程芯片中，良品率僅為 35%，并且三星自研的 4nm 制程 SoC 獵戶座 2200 的良率更低。

來源：C114通信網(wǎng)
作者：問舟