就在一季度，NAND閃存將進(jìn)入200+時(shí)代

近期，有消息稱，三星電子將在2022年底或2023年上半年推出200層以上NAND閃存，并在2023年上半年開始量產(chǎn)。三星現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)單堆棧技術(shù)下的128層NAND 閃存，此后決定將雙堆棧技術(shù)整合到其176層3D NAND制造工藝中，作為200層以上NAND產(chǎn)品研發(fā)時(shí)的過渡，計(jì)劃在2022 年第一季度量產(chǎn)。預(yù)計(jì)三星第一款200層以上NAND閃存的層數(shù)將達(dá)到224層。

不只是三星，美光、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、鎧俠都在積極研發(fā)200層以上的NAND閃存，競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈，預(yù)計(jì)200層以上的NAND閃存時(shí)代即將到來。賽迪顧問集成電路產(chǎn)業(yè)研究中心高級(jí)分析師楊俊剛向《中國電子報(bào)》表示，從目前的各大閃存存儲(chǔ)廠商的技術(shù)研發(fā)來看，在2022年1月，美光成為業(yè)內(nèi)最先推出176層NAND 閃存的廠商，西部數(shù)據(jù)和鎧俠也官宣了第六代162層3D NAND技術(shù)，三星將緊隨其后將在今年第一季度推出，各大廠商在200層以上的NAND 閃存領(lǐng)域進(jìn)行發(fā)力。從目前的研發(fā)進(jìn)度來看，三星和美光在多層數(shù)堆疊存儲(chǔ)器方面的技術(shù)基礎(chǔ)較為領(lǐng)先，但三星為追求技術(shù)的領(lǐng)先性，以及提前搶占市場(chǎng)份額，爭(zhēng)取最早在市場(chǎng)上推出200層以上的閃存產(chǎn)品，更有可能率先推出200層以上的NAND 閃存產(chǎn)品。

楊俊剛表示，隨著NAND閃存的層數(shù)越來越多，所遇到的難度也就越大，在保證產(chǎn)品性能提升，存儲(chǔ)量變大的情況下，要保證隨著鉆孔加深時(shí)鉆孔的精確度，避免出現(xiàn)鉆孔導(dǎo)致位置偏移帶來的影響，廠商將會(huì)盡量在增加層數(shù)的同時(shí)，盡量減少每層的厚度，達(dá)到總體產(chǎn)品的厚度增加較小，以減少鉆孔出現(xiàn)的難度。200層以上的閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將會(huì)增加存儲(chǔ)容量，將有利于下游應(yīng)用產(chǎn)品容量升級(jí)。

作者丨許子皓

編輯丨連曉東

美編丨馬利亞