超1000億美元強勢出擊，英特爾擬建“全球最大芯片基地”

1月21日，英特爾宣布，計劃在美國俄亥俄州建設(shè)兩座新芯片工廠，初始投資超過200億美元，并表示，未來10年將在美國當?shù)赝顿Y1000億美元以建成全球最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。

當前，全球芯片持續(xù)缺貨，競爭異常激烈，各大半導(dǎo)體企業(yè)紛紛布局，欲搶占行業(yè)先機。為提高自身產(chǎn)能及擴大生產(chǎn)規(guī)模，英特爾、臺積電、三星相繼宣布建設(shè)芯片新工廠。

據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，全球晶圓代工產(chǎn)能在疫情、地緣政治、數(shù)位轉(zhuǎn)型生活等因素驅(qū)動下，持續(xù)兩年供不應(yīng)求，尤其是成熟制程1Xnm~180nm短缺情況最為嚴重。但從全球晶圓代工廠的布局來看，能夠競逐晶圓制造先進制程工藝的如今只剩下臺積電、三星和英特爾。

1、英特爾巨資攻入芯片制造業(yè)

1月21日，英特爾宣布，計劃在美國俄亥俄州建設(shè)兩座新芯片工廠，初始投資超過200億美元。英特爾CEO帕特·基辛格（PatGelsinger），此舉不僅是為了提高芯片產(chǎn)能，也是為了重振英特爾在芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

據(jù)媒體報道稱，2021年，基辛格制定英特爾重振計劃，以建立新的芯片工廠，來減少半導(dǎo)體行業(yè)對亞洲制造商的依賴。

在剛過去的2021年里，英特爾就宣布多個建廠計劃。

2021年3月，英特爾宣布計劃投資200億美元在美國亞利桑那州建立2座新芯片制造廠。兩座新工廠名為Fab52及Fab62，并于2021年9月24日動工奠基。此次新工廠采用最新進芯片制造技術(shù)，有助英特爾在2025年左右奪回業(yè)界的領(lǐng)先地位。

除了亞利桑那州晶圓廠，英特爾還投資35億美元在新墨西哥州建立芯片工廠，升級新墨西哥州封測廠先進封裝能力。

同年7月，英特爾發(fā)布史上最完整的技術(shù)路線圖，加碼半導(dǎo)體制程工藝和封裝技術(shù)。

9月，英特爾表示，未來10年，它可能斥資高達950億美元在歐洲新建8家芯片廠，以提升該地區(qū)的芯片產(chǎn)能，這是其應(yīng)對持續(xù)的全球芯片短缺的一部分。

12月16日，基辛格表示，將投資逾70億美元在馬來西亞新建一個芯片封裝和測試工廠，該工廠預(yù)計將于2024年開始投產(chǎn)。

2、臺積電、三星大舉建廠

針對全球芯片短缺的問題，臺積電和三星也都宣布新建芯片工廠，以提高產(chǎn)能，推動芯片制造發(fā)展。

 臺積電 

2020年5月15日，臺積電宣布在美國亞利桑那州建設(shè)的5nm工藝工廠，計劃投資金額是120億美元。

2021年10月14日，臺積電正式宣布，有意在日本建立一座特殊制程晶圓廠。該座新廠將采用22/28納米技術(shù)進行晶圓制造，預(yù)計2022年開始建造，并于2024年底量產(chǎn)。

據(jù)科技新報報道，臺積電在今年1月17日的法說會上表示，過去三年，臺積電將資本支出從2019年149億美元，提高至2021年300億美元，今年（2022年）將達到400億至440億美元，其中約70%至80%用于2納米、3納米、5納米和7納米的先進制程；約10%用于先進封裝及光罩制作；約10%至20%用于特殊制程。

 三星 

據(jù)悉，近來三星開始積極轉(zhuǎn)換方向，從純粹的晶圓代工事業(yè)，轉(zhuǎn)而結(jié)合芯片設(shè)計能力與晶圓代工制造，變成類似英特爾IDM2.0的服務(wù)形態(tài)。

2021年11月24日，三星宣布將在美國得克薩斯州的泰勒投資170億美元建立一個新的先進芯片廠的計劃。

新工廠將生產(chǎn)基于先進工藝技術(shù)的產(chǎn)品，應(yīng)用于移動設(shè)備、5G、高性能計算（HPC）和人工智能（AI）等領(lǐng)域。工廠建設(shè)在2022年上半年進行，目標是在2024年下半年投產(chǎn)。泰勒工廠的面積將超過500萬平方米。

《華爾街日報》報道指出，三星新工廠占地約1200英畝，比之前建在30英里之外的奧斯汀廠還要大。

總體而言，面對芯片短缺如此巨大的供應(yīng)鏈問題，三大晶圓代工廠商的建廠擴產(chǎn)計劃，亦將拉升芯片制造業(yè)的發(fā)展速度，而未來全球芯片制造業(yè)市場格局會如何，我們拭目以待。