致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NCP51561高壓隔離驅(qū)動器的高頻小型化工業(yè)電源方案。
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圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的高頻小型化工業(yè)電源方案的展示板圖
在“雙碳”話題愈演愈烈的當(dāng)下,以GaN氮化鎵/SiC碳化硅為材料的功率半導(dǎo)體器件進(jìn)入了加速發(fā)展車道。GaN和SiC被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體(WBG)”,具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性,可以幫助產(chǎn)品實現(xiàn)更高的開關(guān)效率。據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹,GaN是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件,能夠以非常高的效能和高功率密度來實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換,輕松滿足服務(wù)器和云端數(shù)據(jù)中心最嚴(yán)格的80+規(guī)范或USB PD外部適配器的歐盟行為準(zhǔn)則Tier 2標(biāo)準(zhǔn)?;诖吮尘?,大聯(lián)大世平推出基于onsemi NCP51561的高頻小型化工業(yè)電源方案。
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圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的高頻小型化工業(yè)電源方案的場景應(yīng)用圖
NCP51561是onsemi推出的一款高壓隔離型雙通道門極驅(qū)動器,具有4.5A源電流和9A灌電流峰值能力。該新器件適用于硅功率MOSFET和基于SiC的MOSFET器件的快速開關(guān),提供短且匹配的傳播延遲。
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圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的高頻小型化工業(yè)電源方案的方塊圖
此外,NCP51561還具有兩個獨立的5kVRMS(UL1577級)電隔離門極驅(qū)動器通道,可用作兩個下橋、兩個上橋開關(guān)或一個半橋驅(qū)動器,具備可編程的死區(qū)時間。不僅如此,器件的一個使能引腳能同時關(guān)斷兩個輸出,且NCP51561提供其他重要的保護(hù)功能,如用于兩個門極驅(qū)動器的獨立欠壓鎖定(UVLO)和使能功能。得益于這些出色的功能,可有效提高小型化工業(yè)電源的能源轉(zhuǎn)換效率。
核心技術(shù)優(yōu)勢:
- 兩個輸出驅(qū)動器擁有獨立UVLO保護(hù);
- 輸出電壓為6.5V至30V,具有5V、8V和17V UVLO閾值;
- 4A峰值電流源,8A峰值電流吸收;
- 150V/ns dV/dt抗擾度;
- 36 ns典型傳遞延遲;
- 8 ns最大延遲匹配;
- 可編程輸入邏輯;
- 通過ANB的單或雙輸入模式;
- 可編程死區(qū)時間;
- Enable功能;
- 隔離與安全:
- 1200V工作電壓(根據(jù)VDE0884?11要求)。
方案規(guī)格:
- 雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋驅(qū)動器;
- 輸出電源電壓為6.5V至30V,具有5V、8V和17V UVLO閾值;
- 4A峰值電流源,8A峰值電流吸收。