1、顯示驅(qū)動(dòng)芯片廠商集創(chuàng)北方完成超65億元E輪融資
2、IBM與三星共同開發(fā)VTFET芯片技術(shù) 助力實(shí)現(xiàn)1納米以下制程
3、SK海力士宣布提供24Gb DDR5樣品 為業(yè)內(nèi)最大容量
4、ST首發(fā)PowerGaN功率半導(dǎo)體新系列
1、顯示驅(qū)動(dòng)芯片廠商集創(chuàng)北方完成超65億元E輪融資
臨近2021年收官,集創(chuàng)北方宣布完成了E輪融資的交割。集創(chuàng)北方本輪融資總規(guī)模超65億元,公司估值超300億元。據(jù)了解,本輪融資由海松資本領(lǐng)投,其他投資方包括vivo、中青芯鑫等產(chǎn)業(yè)投資機(jī)構(gòu)以及建信股權(quán)、國開裝備基金、元禾厚望、瑞芯投資、紀(jì)源資本、盛世投資等知名投資機(jī)構(gòu);公司現(xiàn)有股東也積極參與,CPE源峰、芯動(dòng)能基金、絲路華創(chuàng)、珠海華金、景祥資本等老股東繼續(xù)追投。
2、IBM與三星共同開發(fā)VTFET芯片技術(shù) 助力實(shí)現(xiàn)1納米以下制程
IBM和三星聲稱他們已經(jīng)在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方面取得了突破。在舊金山舉行的IEDM會(huì)議的第一天,這兩家公司公布了一種在芯片上垂直堆疊晶體管的新設(shè)計(jì)。在目前的處理器和SoC中,晶體管平放在硅的表面,然后電流從一側(cè)流向另一側(cè)。相比之下,垂直傳輸場效應(yīng)晶體管(VTFET)彼此垂直放置,電流垂直流動(dòng)。
3、SK海力士宣布提供24Gb DDR5樣品 為業(yè)內(nèi)最大容量
SK海力士宣布提供業(yè)內(nèi)DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。據(jù)悉,目前常用的DDR DRAM容量主要是8Gb和16Gb,最大容量為16Gb。
4、ST首發(fā)PowerGaN功率半導(dǎo)體新系列
意法半導(dǎo)體(簡稱ST)官方表示,公司推出了氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體新系列。該系列產(chǎn)品屬于意法半導(dǎo)體的STPOWER產(chǎn)品組合,能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸,目標(biāo)應(yīng)用包括消費(fèi)類電子產(chǎn)品的內(nèi)置電源,例如,充電器、PC機(jī)外部電源適配器、LED照明驅(qū)動(dòng)器、電視機(jī)等家電,同時(shí)也適用于電信電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)電機(jī)、太陽能逆變器、電動(dòng)汽車及其充電設(shè)施等高功率應(yīng)用中。