7月20日,華微電子在與投資者互動時表示,公司的IGBT主要用在工業(yè)控制、白色家電、小家電和汽車(含新能源汽車)上,并在全力開發(fā)新一代Trench FS IGBT產品和逆導型IGBT產品平臺。華微電子同時透露,于2017年開始建設的8英寸產線已經通線。
據華微電子介紹,其主要從事功率半導體器件的設計研發(fā)、芯片制造、封裝測試、銷售等業(yè)務。華微電子堅持生產、研發(fā)、儲備相結合的技術開發(fā)戰(zhàn)略,不斷向功率半導體器件的中高端技術及應用領域拓展;已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列產品到第六代IGBT國內最齊全、最具競爭力的功率半導體器件產品體系,正逐步由單一器件供應商向整體解決方案供應商轉變;同時華微電子積極向新能源汽車、變頻家電、工業(yè)和光伏新興領域快速拓展,并已取得良好效果,為持續(xù)發(fā)展奠定了堅實的基礎。
此前,華微電子將2021年看作是其發(fā)展變革關鍵的一年,按計劃繼續(xù)深耕工控、白電、光伏、汽車電子行業(yè),推進產品技術變革,提升核心技術研發(fā)能力;實現(xiàn)重點產品技術突破,完善產品結構。為此,華微電子制定了如下今年重點推動的產品技術平臺項目:
1、超結MOSFET:完成8寸超級MOSFET平臺建設及系列化,拓展公司在電源領域的產品市場份額。
2、IGBT:拓展白色家電、工業(yè)變頻、UPS和新能源領域IGBT產品的份額;開發(fā)新一代TrenchFSIGBT產品和逆導型IGBT產品平臺;豐富PM和IPM模塊產品,并積極推進在工業(yè)和家電內的市場應用。
3、CCTMOS:建立80V、100V、150VCCTMOS的8寸工藝平臺,進一步降低產品導通電阻,拓展電源領域和電池保護(BMS領域)的應用。
4、超高壓FRD:建立3300V、4500V超高反壓快恢復二極管,推動超高壓FRD模塊的市場推廣,為我司FRD和IGBT產品進入軌道交通、電網等領域奠定基礎。
5、可控硅產品:進行平面可控硅產品的系列化及在白色家電和漏電保護領域的產品推廣。
6、TVS和齊納二極管:開發(fā)TVS和齊納二極管類產品工藝平臺,提升公司產品配套能力。
7、第三代半導體:開發(fā)SiCSBD產品和650VGaN器件,實現(xiàn)在工業(yè)電源和快充領域的應用。