瞄準碳化硅領(lǐng)域，深圳哈勃投資天域半導體

近日，東莞市天域半導體科技有限公司（以下簡稱“天域半導體”）工商信息發(fā)生變更，其中，注冊資本從9027.0589萬元增至9770.4638萬元，同時新增深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡稱“深圳哈勃”）為股東。

資料顯示，天域半導體成立于2009年1月7日，是我國首家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。目前公司已引進3臺世界一流的SiC-CVD及配套檢測設(shè)備，生長技術(shù)已達到國際先進水平。

該公司擁有數(shù)十項半導體相關(guān)專利，如 " 一種改變 SiC 晶片翹曲度的拋光裝置 " 等。

天域半導體官方消息顯示，公司是國內(nèi)首家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅 ( SiC ) 外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，是中國第一家碳化硅半導體材料供應(yīng)鏈的企業(yè)獲得汽車質(zhì)量認證 ( IATF 16949 ) 。

2010年，天域半導體與中國科學院半導體研究所合作，共同創(chuàng)建碳化硅研究所。天域半導體可提供4英寸、6英寸碳化硅外延晶圓，是制作各種單極、雙極型碳化硅功率器件的關(guān)鍵材料。

哈勃投資成立于 2019 年 4 月 23 日。法定代表人為白熠，經(jīng)營范圍包含：創(chuàng)業(yè)投資業(yè)務(wù)，由華為投資控股有限公司 100% 控股。

哈勃投資成立之初注冊資本是 7 億元人民幣，隨著哈勃投資的項目越來越多，華為不斷向哈勃增資。目前哈勃注冊資本已經(jīng)增加至 30 億元人民幣。

面對美國的壓力，華為正在海外招募大批人才。華為尋求聘請慕尼黑的芯片工程師、伊斯坦布爾的軟件開發(fā)人員和加拿大的人工智能研究人員。此外，中國大陸和海外有數(shù)百位博士生為其效力。

隨著美國制裁不斷加重，半導體 " 卡脖子 " 的情況愈發(fā)嚴重，2019 年，華為的全資子公司哈勃投資，不斷在半導體芯片、原材料、設(shè)備等行業(yè) " 落子 "，引發(fā)外界對華為全面入局半導體行業(yè)的猜想。