國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目新政井噴，美芯片股暴跌1000億？

據(jù)報(bào)道，權(quán)威消息人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在 2021-2025 年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。

這個(gè)消息剛一出來(lái)，最不淡定的當(dāng)屬美國(guó)。昨天美股三大指數(shù)集體出現(xiàn)了暴跌，納斯達(dá)克指數(shù)下跌 5%左右，標(biāo)普 500 指數(shù)下跌 3.5%，美國(guó)費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)下跌 5.7%，相關(guān)成分股市值縮水約 1000 億美元，是 6 月中旬以來(lái)最慘的一天。其中芯片股更是全線潰敗，英偉達(dá)股價(jià)下跌 9.3%、為 3 月 16 日以來(lái)最高。博通下跌 6.1%，高通下跌 5.5%，英特爾下跌 3.6%。外媒認(rèn)為主要的原因就和中國(guó)即將實(shí)施的半導(dǎo)體新政有關(guān)。

由于傳統(tǒng)半導(dǎo)體制程工藝已近物理極限，技術(shù)研發(fā)費(fèi)用劇增，制造節(jié)點(diǎn)的更新難度越來(lái)越大，“摩爾定律”演進(jìn)開始放緩，半導(dǎo)體業(yè)界紛紛在新型材料和器件上尋求突破。相比第一代和第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化鋅（ZnSe）等寬帶半導(dǎo)體原料為主；具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。以第三代半導(dǎo)體為基礎(chǔ)制備的電子器件，是支撐新基建中 5G 基建、新能源汽車充電樁、特高壓及軌道交通四大領(lǐng)域的關(guān)鍵核心。

由于第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)成為各國(guó)發(fā)展的重點(diǎn)，國(guó)內(nèi)外廠商也在不斷的上演合縱連橫，早早布局。比如意法半導(dǎo)體并購(gòu)了 Norstel AB 以及法國(guó) Exagan、并且與臺(tái)積電聯(lián)手，此外英飛凌也收購(gòu)了 Siltectra ，以及日商 ROHM 收購(gòu) SiCrystal 等都顯示出各家對(duì)布局未來(lái)的決心。

而在國(guó)內(nèi)方面，第三代半導(dǎo)體材料的布局也在緊鑼密鼓的開展，比如在 7 月份，碳化硅晶片供應(yīng)商天科合達(dá)的科創(chuàng)板申請(qǐng)已獲受理，總投資 160 億元的長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目破土動(dòng)工；8 月份，碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體模塊及應(yīng)用解決方案提供商忱芯科技(UniSiC)宣布完成數(shù)千萬(wàn)元人民幣天使輪融資；此外，露笑科技投資 100 億建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園；三安光電打算成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額 160 億元。

整個(gè)上半年已經(jīng)有 8 家半導(dǎo)體企業(yè)共計(jì)預(yù)投資大約 430 多億，可以看出第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目在國(guó)內(nèi)已處于井噴。