加入星計劃,您可以享受以下權益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 相關推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

經(jīng)典MOS管電平轉(zhuǎn)換電路,硬件工程師居家旅行、看門護院的必備良藥

2020/03/13
174
閱讀需 5 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

電平轉(zhuǎn)換在電路設計中非常常見,因為做電路設計很多時候就像在搭積木,這個電路模塊,加上那個電路模塊,拼拼湊湊連起來就是一個電子產(chǎn)品了。而各電路模塊間經(jīng)常會出現(xiàn)電壓域不一致的情況,所以模塊間的通訊就要使用電平轉(zhuǎn)換電路了。

上圖是用 MOS 管實現(xiàn)的 I2C 總線電平轉(zhuǎn)換電路,實現(xiàn) 3.3V 電壓域與 5V 電壓域間的雙向通訊。掛在總線上的有 3.3V 的器件,也有 5V 的器件,通過這個電路,大家就可以愉快地玩耍聊天了。

實物對照圖如下。實物的上拉電阻用了 4.7K 歐姆,可以提供更大的電流驅(qū)動能力。在滿足電路性能的前提下,我喜歡用阻值更大的電阻,因為功耗更低更省電。

原理分析
簡化來看,留下 I2C 的一根線來分析就可以了,如下圖。

分四種情況:

1、當 SDA1 輸出高電平時:MOS 管 Q1 的 Vgs = 0,MOS 管關閉,SDA2 被電阻 R3 上拉到 5V。

2、當 SDA1 輸出低電平時:MOS 管 Q1 的 Vgs = 3.3V,大于導通電壓,MOS 管導通,SDA2 通過 MOS 管被拉到低電平。

3、當 SDA2 輸出高電平時:MOS 管 Q1 的 Vgs 不變,MOS 維持關閉狀態(tài),SDA1 被電阻 R2 上拉到 3.3V。

4、當 SDA2 輸出低電平時:MOS 管不導通,但是它有體二極管!MOS 管里的體二極管把 SDA1 拉低到低電平,此時 Vgs 約等于 3.3V,MOS 管導通,進一步拉低了 SDA1 的電壓。

注:

低電平指等于或接近 0V。

高電平指等于或接近電源電壓。所以 3.3V 電壓域的器件,其高電平為等于或接近 3.3V;5V 電壓域的器件,其高電平為等于或接近 5V。

具體要求看芯片的數(shù)據(jù)手冊是怎么說明這個限定范圍的,常見的比如說 0.3 倍的“芯片供電電壓”以下為低電平,0.7 倍的“芯片供電電壓”以上為高電平。也就是說“芯片供電電壓”為 5V 的時候,5 x 0.3 = 1.5V 以下為低電平,5 x 0.7 = 3.5V 以上為高電平。

?

某一個芯片數(shù)據(jù)手冊里關于高低電平的閾值范圍說明

注意事項
以上是 3.3V 與 5V 之間的情況,如果換用其他電壓域之間的轉(zhuǎn)換,如 3.3V、2.5V、1.8V 等電壓值的兩兩之間,需要注意 MOS 管的 Vgs 開啟導通電壓。

給 MOS 管過高的 Vgs 會導致 MOS 管燒壞!給過低的 Vgs 會導致 MOS 管打不開!不同型號的 MOS 管這個參數(shù)值還不一樣?。?!

?

舉例:其中一個廠家生產(chǎn)的 2N7002 的數(shù)據(jù)手冊,Vgs 不能超過正負 20V

再來看一下,設計電路時 Vgs 可能設計過小的情況,下圖是 2N7002 的數(shù)據(jù)手冊:

舉例:其中一個廠家生產(chǎn)的 2N7002 的數(shù)據(jù)手冊,Vgs 的開啟電壓為 1V

實際使用時為保證完全開啟、完全導通,設計上要多預留余量,比如實際電路中 Vgs 起碼給到 1.8V。因為 1.8V 的設計參數(shù)接近數(shù)據(jù)手冊標注的 1V 臨界值,尤其注意用實驗驗證,確保萬無一失。

總結(jié)
3.3V 跟 5V 互轉(zhuǎn)的電路已經(jīng)是一個經(jīng)典電路,實在是硬件設計師居家旅行、護院看家,必備良藥!MOS 管型號就記住用 2N7002,這個型號便宜,性能久經(jīng)考驗,不像有些 MOS 管外型看起來跟 2N7002 一樣,但實際是大功率的,有部分性能規(guī)格浪費了,有部分性能規(guī)格又不一定能滿足需要,主要是還賊貴,具體其他 MOS 是怎樣的這里就不細究啦。

相關推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜

“芯思想semi-news”微信公眾號主筆。非211非985非半導體專業(yè)非電子專業(yè)畢業(yè),混跡半導體產(chǎn)業(yè)圈20余載,熟悉產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)情況,創(chuàng)辦過半導體專業(yè)網(wǎng)站,參與中國第一家IC設計專業(yè)孵化器的運營,擔任《全球半導體晶圓制造業(yè)版圖》一書主編,現(xiàn)供職于北京時代民芯科技有限公司發(fā)展計劃部。郵箱:zhao_vincent@126.com;微信號:門中馬/zhaoyuanchuang