不是英飛凌、德州儀器，射頻GaN-on-Si專(zhuān)利大戶(hù)是這三家

根據(jù)分析機(jī)構(gòu) Yole 的數(shù)據(jù)顯示，英特爾和 Macom 在射頻的 GaN-on-Si 專(zhuān)利領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。

Yole 機(jī)構(gòu)稱(chēng)，英特爾的 RF-GaN-on-Si 專(zhuān)利組合主要涉及用于 SoC 的 III-N 晶體管、RF 開(kāi)關(guān)、超短溝道長(zhǎng)度、場(chǎng)板和 III-N/ 硅單片集成電路。英特爾采取了全球?qū)＠麘?zhàn)略，在美國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣分別有 17 項(xiàng)和 20 項(xiàng)專(zhuān)利正在申請(qǐng)中。

此外，富士通（Fujitsu）擁有 40 多項(xiàng)專(zhuān)利，Macom 擁有 20 多項(xiàng)專(zhuān)利，在 GaN-on-Si 射頻領(lǐng)域的可執(zhí)行知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面處于領(lǐng)先地位。其中富士通的投資組合專(zhuān)注于硅基 GaN 材料，特別是緩沖層，其發(fā)明可能在其他襯底上實(shí)現(xiàn)，包括 SiC 或其他應(yīng)用。

與英特爾一樣，富士通也采取了全球?qū)＠麘?zhàn)略。相比之下，Macom 的產(chǎn)品組合更側(cè)重用于 RF 的 GaN-on-Si 器件，解決外延、器件、模塊和封裝級(jí)別的特定技術(shù)挑戰(zhàn)。例如，為了通過(guò) HEMT-epi 結(jié)構(gòu)中的反摻雜劑來(lái)解決寄生通道，2015 年進(jìn)行了一項(xiàng)強(qiáng)有力的專(zhuān)利申請(qǐng)工作。

Yole 在其新的 GaN on Silicon 專(zhuān)利分析中確定了 10 多項(xiàng)相關(guān)專(zhuān)利申請(qǐng)。此外，Macom 與 GaN-on-Si 相關(guān)的專(zhuān)利主要集中在美國(guó)，盡管它現(xiàn)在已經(jīng)要求國(guó)外對(duì)大量新發(fā)表的發(fā)明進(jìn)行延期。

Yole 表示：“對(duì) GaN-on-Si 技術(shù)用于電力應(yīng)用的興趣日益增長(zhǎng)，但這并沒(méi)有顯著地加速專(zhuān)利申請(qǐng)活動(dòng)，”然而，我們觀察到英飛凌在收購(gòu) IR 后有穩(wěn)步的專(zhuān)利申請(qǐng)活動(dòng)，美國(guó)初創(chuàng)企業(yè) Transphorm 成為一匹黑馬產(chǎn)品組合顯著增強(qiáng)，源于富士通將其電源業(yè)務(wù)移交給這家公司。

Transphorm 的知識(shí)產(chǎn)權(quán)地位在 2014 年與 Furukawa Electric 達(dá)成許可協(xié)議后得到進(jìn)一步加強(qiáng)，F(xiàn)urukawa Electric 是 GaN on Si 專(zhuān)利領(lǐng)域的關(guān)鍵知識(shí)產(chǎn)權(quán)參與者。同樣，英飛凌科技也與另一家老牌 GaN 玩家松下簽訂了一項(xiàng)重要的知識(shí)產(chǎn)權(quán)許可協(xié)議，涉及 Si 和電力電子專(zhuān)利領(lǐng)域。

ST 在 2018 年宣布了一項(xiàng)與 CEA Leti 合作的研發(fā)計(jì)劃，CEA Leti 在 GaN-on-Si 專(zhuān)利領(lǐng)域處于有利地位。

“在過(guò)去的幾年里，在電力電子行業(yè)，我們看到了市場(chǎng)對(duì) GaN-HEMTs 越來(lái)越感興趣，與 Si-MOSFET 相比，GaN-HEMTs 帶來(lái)了誘人的性能和成本競(jìng)爭(zhēng)力，”Yole 介紹，“除了創(chuàng)新的初創(chuàng)公司，幾乎所有電力電子行業(yè)的集成設(shè)備制造商都提出，與硅 MOSFET 解決方案相比，GaN-on-Si 器件使系統(tǒng)具有更高的功率、更高的效率和更小的腳印?！?/p>

Yole 表示，在電力電子領(lǐng)域，GaN-on-Si 器件是中壓硅 SJ-MOSFET 的直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。