國家集成電路大躍進(jìn)，2019 年度國家科學(xué)技術(shù)獎在京揭曉

2020 年 1 月 10 日，2019 年度國家科學(xué)技術(shù)獎在京揭曉，共評選出 296 個項目和 12 名科技專家；包括國家自然科學(xué)獎授獎項目 46 項，國家技術(shù)發(fā)明獎授獎項目 65 項，國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎授獎項目 185 項。
 
國家科學(xué)技術(shù)獎勵工作辦公室 2019 年 7 月發(fā)布《國家科學(xué)技術(shù)獎勵工作辦公室公告第 92 號》，公告稱 2019 年度國家科學(xué)技術(shù)獎提名工作已結(jié)束，我辦共收到有關(guān)單位和專家提名的國家自然科學(xué)獎項目 295 項，國家技術(shù)發(fā)明獎項目 298 項(通用項目 239 項，專用項目 59 項)，國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎項目 956 項（通用項目 784 項，專用項目 172 項）。 
 
士蘭微、華潤上華、金瑞泓、有研半導(dǎo)體、株洲中車、興福電子等公司參與的項目獲得國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎 4 項、國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎一等獎 2 項和國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎二等獎 2 項。
 
一、國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎 
1、“微量摻鍺直拉硅單晶技術(shù)及其應(yīng)用”項目 
該項目主要完成人為楊德仁（浙江大學(xué)）、田達(dá)晰（浙江金瑞泓科技股份有限公司）、余學(xué)功（浙江大學(xué)）、馬向陽（浙江大學(xué)）。
 
2、“大尺寸硅片超精密磨削技術(shù)與裝備”項目 
該項目主要完成人為大連理工大學(xué)的康仁科、董志剛、朱祥龍和有研半導(dǎo)體材料有限公司的閆志瑞、鄭州磨料磨具磨削研究所有限公司的古玉龍、無錫機(jī)床股份有限公司的呂洪明。
 
項目主要研究內(nèi)容為磨床結(jié)構(gòu)設(shè)計與分析、金剛石砂輪研制、硅片面型控制系統(tǒng)、硅片高效低損傷超精密磨削工藝等，并研制出國內(nèi)首臺大尺寸硅片雙主軸三工位全自動磨床和大尺寸硅片磨拋一體化機(jī)床等設(shè)備。
 
3、“高壓大電流 IGBT 芯片關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用“項目 
該項目主要完成人為劉國友（株洲中車時代電氣股份有限公司）、盛 況（浙江大學(xué)）、羅海輝（株洲中車時代電氣股份有限公司）、覃榮震（株洲中車時代電氣股份有限公司）、黃建偉（株洲中車時代電氣股份有限公司）、肖海波（株洲中車時代電氣股份有限公司）。
 
該項目全面攻克高壓 IGBT 芯片設(shè)計與制造關(guān)鍵技術(shù)，研制完成 1700V-6500V 高壓 IGBT 系列產(chǎn)品，成功應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)等高端裝備領(lǐng)域，典型應(yīng)用包括“高速動車組”、“大功率機(jī)車” 、“地鐵車輛”、“電力系統(tǒng)工程”等，并遠(yuǎn)銷印度、俄羅斯和歐洲市場，銷售 IGBT 超 20 萬套，實現(xiàn)銷售收入 40.4 億元。獲授權(quán)發(fā)明專利 57 項，發(fā)表論文 60 篇。
 
4、“高效模數(shù)轉(zhuǎn)換器和模擬前端芯片關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”項目 
該項目主要完成人為楊銀堂（西電）、朱樟明（西電）、丁瑞雪（西電）、方偉（大華）、胡鐵剛（杭州士蘭微電子股份有限公司）、朱海剛（大華）。
 
該項目發(fā)明了高效可配置模數(shù)轉(zhuǎn)換及模擬前端芯片架構(gòu)、高效誤差數(shù)字校準(zhǔn)及高精度時鐘、高效模擬前端采樣等技術(shù)，可應(yīng)用于多維傳感器、鋰電管理系統(tǒng)等系列產(chǎn)品，解決了高效模數(shù)轉(zhuǎn)換器及模擬前端芯片的自主可控發(fā)展難題。
 
二、國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎一等獎 
1、“FT-1500A 高性能通用 64 位微處理器及應(yīng)用”項目 
該項目由中國人民解放軍國防科技大學(xué)、中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司、天津飛騰信息技術(shù)有限公司三家單位合作完成；獲獎人員包括竇強、趙振宇、王永文、鄧讓鈺、高軍、周宏偉、鄧宇、潘國騰、張承義、龔銳、鄧林、歐國東、郭御風(fēng)、馬卓，隋兵才。
 
2014 年 10 月，F(xiàn)T-1500A 高性能 16 核通用 64 位 CPU 驚艷亮相。該芯片兼容生態(tài)完善的 ARM 指令集，通過自主設(shè)計實現(xiàn)芯片安全可控，性能和效能領(lǐng)先于同期國際同類產(chǎn)品。其研發(fā)和面世，標(biāo)志著我國 CPU 設(shè)計技術(shù)取得重大突破，打破了國外在高性能 CPU 領(lǐng)域的壟斷，為我國自主可控信息系統(tǒng)建設(shè)提供了技術(shù)保障。
 
隨著國產(chǎn)化應(yīng)用的逐漸深入，F(xiàn)T-1500A 銷量逐年遞增，僅 2018 年四季度就銷售近 3 萬片。而隨著 FT-1500A、FT-2000、FT-2000+等一系列高性能 CPU 產(chǎn)品的推出，已有 400 多家企業(yè)構(gòu)建了以飛騰 CPU 為核心的全自主生態(tài)系統(tǒng)，覆蓋了從高性能計算、服務(wù)器、桌面、嵌入式等多個應(yīng)用領(lǐng)域。
 
2、“新一代射頻芯片”項目 
中國電科 55 所和 13 所牽頭的新一代射頻芯片項目獲“國家科技進(jìn)步一等獎”，這是中國電科成立以來，在基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域獲得的首個國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎 .
 
中國電科新一代射頻芯片項目研制團(tuán)隊，始終堅持自力更生、協(xié)同作戰(zhàn)、頑強拼搏、創(chuàng)新圖強，歷經(jīng)近 20 年的不懈努力，掌握了核心技術(shù)，形成了從設(shè)計、工藝到封裝、測試的完整技術(shù)體系，開發(fā)出射頻芯片系列產(chǎn)品千余款，實現(xiàn)了第三代半導(dǎo)體從無到有的跨越，為確保核心芯片和關(guān)鍵元器件自主創(chuàng)新做出了重要貢獻(xiàn)。
 
三、國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎二等獎 
1、“芯片用超高純電子級磷酸及高選擇性蝕刻液生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)”項目
興發(fā)集團(tuán)圍繞國家電子化學(xué)工業(yè)重大戰(zhàn)略需求，攜興福電子與中國科學(xué)院過程工程研究所、武漢工程大學(xué)等單位，經(jīng)過近 10 年持續(xù)研究攻關(guān)，自主開發(fā)掌握了芯片用超高純電子級磷酸和高選擇性蝕刻液生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，突破了發(fā)達(dá)國家在該領(lǐng)域的技術(shù)封鎖，其中超高純電子級磷酸中砷、銻等雜質(zhì)的控制技術(shù)居國際領(lǐng)先水平，有效提升了我國電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)的國際競爭力，為我國芯片制造產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展創(chuàng)造了良好條件。
 
2、“高性能 MEMS 器件設(shè)計與制造關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”項目
該項目由東南大學(xué)、江蘇英特神斯科技有限公司、無錫華潤上華科技有限公司三家單位合作完成。項目成果針對中國微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵技術(shù)問題，系統(tǒng)研究開發(fā)了 MEMS 設(shè)計技術(shù)與設(shè)計工具、制造工藝和在線檢測以及高性能壓力傳感器技術(shù)，推動了中國 MEMS 技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
 
該成果形成了高精度硅各向異性腐蝕模擬、厚膠光刻工藝模擬、工藝流程模擬等 11 個軟件模塊，實現(xiàn)了商業(yè)化，國內(nèi)用戶 40 余個，遠(yuǎn)銷美國、日本等。關(guān)鍵技術(shù)已應(yīng)用于華潤上華規(guī)?；a(chǎn)線，形成批量生產(chǎn)能力并為國內(nèi)外用戶代工超過 10 萬片，支撐了壓力傳感器系列、麥克風(fēng)系列等 MEMS 器件生產(chǎn)，產(chǎn)品已在智能電子、工業(yè)控制、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
 
在該項目中，華潤上華具體開發(fā)了 MEMS 表面加工、體加工、鍵合加工等成套制造工藝技術(shù)及檢測技術(shù)，優(yōu)化了制造工藝及流程，實施了 MEMS 生產(chǎn)制造工藝、在線檢測技術(shù)以及代工服務(wù)。硅基 MEMS 制造工藝模擬及工藝優(yōu)化技術(shù)大大減少了工藝條件和參數(shù)的反復(fù)試驗，降低了工藝開發(fā)成本并優(yōu)化了工藝條件及其流程，縮短了制造工藝開發(fā)周期。