SK 海力士不再落隊(duì)，已開(kāi)發(fā)出第三代 1Z 納米 DDR4 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

與非網(wǎng) 10 月 22 日訊，在美光、三星先后搞定 1Znm 工藝的 16Gb DDR4 DRAM 內(nèi)存芯片后，SK 海力士也終于跟上隊(duì)伍了。

昨日，SK 海力士宣布開(kāi)發(fā)適用第三代 1Z 納米 DDR4 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）。SK 海力士稱，這款芯片實(shí)現(xiàn)了單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)業(yè)界最大容量的 16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲(chǔ)量也是現(xiàn)存的 DRAM 內(nèi)最大。

與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約 27%，因其無(wú)需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

該款 1Z 納米 DRAM 還穩(wěn)定支持最高 3200Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，這是 DDR4 規(guī)格內(nèi)最高速度。功耗也顯著提高，與基于第二代 8Gb 產(chǎn)品的相同容量模組相比，將功耗降低了約 40％。

特別是，第三代產(chǎn)品適用前一代生產(chǎn)工藝中從來(lái)沒(méi)使用過(guò)的新材料，將 DRAM 操作的關(guān)鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還引進(jìn)了新的設(shè)計(jì)技術(shù)，提高了動(dòng)作穩(wěn)定性。

據(jù)悉，SK 海力士第三代 10 納米級(jí) DDR4 DRAM 計(jì)劃年內(nèi)完成批量生產(chǎn)，從明年開(kāi)始正式供應(yīng)。

接下來(lái)，SK 海力士計(jì)劃將第三代 10 納米級(jí)微細(xì)工程技術(shù)擴(kuò)展到多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括下一代移動(dòng) DRAM LPDDR5 和最高端 DRAM HBM3 等。

最后，SK hynix 計(jì)劃將 1Znm 工藝擴(kuò)展到各種應(yīng)用，如下一代 LPDDR5 移動(dòng) DRAM、以及更快的 HBM3 顯存上。