國(guó)產(chǎn)內(nèi)存芯片正加速發(fā)展，何時(shí)才能徹底打破壟斷？

與非網(wǎng) 10 月 11 日訊，目前在全球的消費(fèi)電子市場(chǎng)上，存儲(chǔ)器是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。如果再將存儲(chǔ)器細(xì)分，又可分為 DRAM、NAND Flash 與 Nor Flash 三種。

投資存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域 1500 億美元，我國(guó)幾乎表明了自給自足的決心。目前國(guó)內(nèi)已有三家企業(yè)已經(jīng)進(jìn)入這一領(lǐng)域，合肥長(zhǎng)鑫和長(zhǎng)江存儲(chǔ)分別在 DRAM 和 NAND FLASH 技術(shù)工藝的擴(kuò)展和發(fā)展。福建晉華曾經(jīng)是第三家，但由于美國(guó)商務(wù)部對(duì)其 DRAM 設(shè)備、器件的禁售，導(dǎo)致其暫陷入困境。

紫光集團(tuán)是中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)芯片的領(lǐng)頭羊，成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)，研發(fā)、生存 NAND 閃存，還有做 DDR 內(nèi)存的紫光國(guó)微等子公司。

根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫的產(chǎn)品發(fā)展路線圖。到 2020 年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接跳躍到 128 層 3D NAND 的目標(biāo)，并消除從 64 層到 128 層的過(guò)程，且繞開主要 NAND 制造商生產(chǎn)的 96 層閃存芯片。到 2021 年，分別在 NAND FLASH 和 DRAM 的產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)度上取得突破，后者將完成 17nm 的研發(fā)。

存儲(chǔ)器領(lǐng)域經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，由全球六家公司控制，分別為三星，東芝，美光，西部數(shù)據(jù)，SK 海力士和英特爾。DRAM 市場(chǎng)更加集中，只有三家公司生產(chǎn)幾乎所有的 DRAM 芯片。它們分別是三星，SK 海力士和美光。

反觀國(guó)內(nèi)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)著力于 NAND FLASH 的生產(chǎn)，合肥長(zhǎng)鑫致力于 DRAM 的生產(chǎn)。

除武漢和合肥外，我國(guó)另外三個(gè)城市也正在建設(shè)存儲(chǔ)器工廠。同時(shí)，晉江也可能會(huì)開始 DRAM 生產(chǎn)，但是目前由于法律問(wèn)題，參與其中的公司福建晉華目前處于困境。

隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的加大，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)也將迎來(lái)加速發(fā)展，雖然在短期內(nèi)難以撼動(dòng)三星、SK 海士力以及鎂光三足鼎立的局面，但未來(lái)憑借國(guó)內(nèi)龐大的內(nèi)需市場(chǎng)、優(yōu)秀的開發(fā)能力，以及具國(guó)際水準(zhǔn)的產(chǎn)能，必將在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擁有一席之地。

與非網(wǎng)整理自網(wǎng)絡(luò)