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DRAM 要求不斷提高,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)談 10nm 愿景

2019/09/20
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與非網(wǎng) 9 月 20 日訊,9 月 19 日在深圳舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)上,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM 技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講。

平爾萱博士表示,隨著數(shù)據(jù)量的增加,數(shù)據(jù)處理能力就需要相應(yīng)的加強(qiáng),因此需要更強(qiáng)大的 CPU,同時(shí)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)容量、讀寫速度也需要加強(qiáng)。因此近年來(lái)對(duì) DRAM 的要求也在持續(xù)提高。

在此次會(huì)議上,平爾萱博士對(duì)奇夢(mèng)達(dá) DRAM 也有提及。他表示,在 DRAM 技術(shù)的演進(jìn)過(guò)程中,曾經(jīng)的 DRAM 巨頭奇夢(mèng)達(dá)提出的埋入式電柵三極管概念給整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了巨大的貢獻(xiàn)。

DRAM 技術(shù)在發(fā)明之后的幾十年里,經(jīng)歷了從平面結(jié)構(gòu)向空間爭(zhēng)取表面積的溝槽式電容及堆疊式電容的架構(gòu)。

而奇夢(mèng)達(dá) DRAM 技術(shù)也是利用空間,將三極管的性能提升,這種提升隨著線寬的減少越來(lái)越重要。此外,近代 DRAM 產(chǎn)品也都沿用了這個(gè)概念。

長(zhǎng)鑫的技術(shù)來(lái)源已經(jīng)不是秘密,此前在 GSA+Memory 存儲(chǔ)峰會(huì)上,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的董事長(zhǎng)兼 CEO 朱一明發(fā)表了《中國(guó)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講,提到了長(zhǎng)鑫的 DRAM 內(nèi)存技術(shù)來(lái)源,主要就是已破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)公司,獲得了一千多萬(wàn)份有關(guān) DRAM 的技術(shù)文件及 2.8TB 數(shù)據(jù),在此基礎(chǔ)上改進(jìn)、研發(fā)自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片,耗資超過(guò) 25 億美元。

奇夢(mèng)達(dá)已經(jīng)破產(chǎn)多年,他們的內(nèi)存技術(shù)實(shí)際上停留在了前幾代的水平,平爾萱博士稱長(zhǎng)鑫已經(jīng)借助先進(jìn)的設(shè)備將奇夢(mèng)達(dá) 46nm 工藝水平的內(nèi)存芯片推進(jìn)到了 10nm 級(jí)別。

不過(guò)公開(kāi)報(bào)道中沒(méi)有說(shuō)明平爾萱博士所說(shuō)的 10nm 級(jí)別到底是什么水平,理論上 20nm 之后的都可以叫做 10nm 級(jí),但三星是在 20nm、18nm 之后發(fā)展了 1Xnm、1Ynm、1Znm,從 1Xnm 工藝才開(kāi)始稱作 10nm 級(jí)內(nèi)存。

結(jié)合之前的報(bào)道,長(zhǎng)鑫公司今年底會(huì)量產(chǎn) 19nm 工藝、8Gb 核心的 DDR4 內(nèi)存芯片,不知道這個(gè)內(nèi)存是否就是平爾萱博士所說(shuō)的 10nm 級(jí)內(nèi)存。

不論是 19nm 還是其他工藝的內(nèi)存,總體來(lái)說(shuō)國(guó)內(nèi)公司如果能在年底量產(chǎn) 10nm 級(jí)別的內(nèi)存,起點(diǎn)還是非常高的,與國(guó)際先進(jìn)水平的差距也就 2-3 年的樣子,這個(gè)水平相比其他芯片的差距就小太多了。

在談到 DRAM 技術(shù)未來(lái)發(fā)展時(shí),平爾萱博士表示,DRAM 是有極限的,通過(guò)改進(jìn)可以將極限推遲,例如導(dǎo)入 EUV 及 HKMG 三極管以縮小線寬及加強(qiáng)外圍電路性能。此外,EUV 主要是針對(duì)陣列,外圍線路的增強(qiáng)及微縮也是近來(lái) DRAM 技術(shù)發(fā)展的另一個(gè)機(jī)會(huì)。

平爾萱博士也強(qiáng)調(diào),繼續(xù)推進(jìn) DRAM 技術(shù)的發(fā)展,還需要在新材料、新架構(gòu)上進(jìn)行更多探索,也需要加強(qiáng)與其他企業(yè)的合作?;仡欉^(guò)去幾十年的 DRAM 發(fā)展,證明 IDM 是發(fā)展 DRAM 的必然選擇,而這正是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從一開(kāi)始建立就堅(jiān)持的。

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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

2016年5月,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商,公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

2016年5月,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商,公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。收起

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