下半年存儲器漲勢迎拐點，但2017全年價格漲幅仍十分可觀

市場調(diào)研機構(gòu) IC Insights 表示，2017 年 DRAM 和 NAND 型閃存銷售額都將創(chuàng)出歷史新高，而 DRAM 和 NAND 閃存創(chuàng)新高的原因都是由于價格瘋漲。該機構(gòu)預計，2017 年 DRAM 出貨量同比下降，而 NAND 閃存也僅增長 2%，閃存出貨量增長對存儲器銷售額創(chuàng)新高雖然是正面作用，但并非主要原因。

存儲器價格上漲始于 2016 年第二季度，到 2017 年上半年為止，每季度價格都持續(xù)向上走。如圖所示，從 2016 年第三季度，到 2017 年第二季度，DRAM 價格季度平均增長率為 16.8%，NAND 閃存價格季度平均增長率為 11.6%。

從 2016 年第三季度 DRAM 平均售價瘋漲開始，DRAM 制造商又開始步入加碼投資周期，不過這一輪 DRAM 廠商投資大部分都花在了升級技術方面，并沒有盲目擴充產(chǎn)能。

IC Insights 判斷，2017 年閃存廠商絕大部分資本支出都投入在 3D NAND 工藝技術上。為提升其位于韓國平澤市巨型新工廠的產(chǎn)能，2017 年三星在 NAND 閃存上的資本支出將同比大幅上升。

從歷史數(shù)據(jù)來看，價格上漲周期帶來的投資擴產(chǎn)沖動，通常會造成產(chǎn)能過剩，產(chǎn)能過剩程度越高，將來價格下跌也會越猛烈。三星、SK 海力士、美光、英特爾、東芝 / 閃迪、武漢新芯 / 長江存儲，以及可能出現(xiàn)的中國資本支持的新玩家，都提出了雄心勃勃的 3D NAND 生產(chǎn)計劃，未來幾年 3D NAND 閃存產(chǎn)能出現(xiàn)過剩的概率非常高。

IC Insights 收集的數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均售價增長率峰值出現(xiàn)在 2016 年第四季度，但直到 2017 年第二季度，漲勢都很強勁。該機構(gòu)預測，2017 年第三季度 DRAM 價格還能維持些許漲勢，但第四季度將出現(xiàn)微跌，標志這輪漲價周期即將終結(jié)。

雖然 2017 年下半年 DRAM 漲勢趨緩，但 IC Insights 預計全年漲幅仍將達 63%，這是自該機構(gòu)從 1993 年開始追蹤 DRAM 市場數(shù)據(jù)以來的最高漲幅，此前記錄是 1997 年的 57%。

NAND 閃存 2017 年價格漲幅也將創(chuàng)紀錄地達到 33%。不過，在 2000 年，NOR 型閃存還主導市場時，其平均售價一年漲幅達到了 52%。