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砸15億美元強化4nm制程,三星能保住芯片領導地位?

2017/07/03
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三星電子(Samsung Electronics)正準備布局全球「第四次工業(yè)革命」浪潮趨勢,將量產(chǎn)為智能型與連網(wǎng)裝置所開發(fā)的更快速且更高效芯片,以期鞏固該公司的全球芯片領導地位。

作為這項策略的一部分,據(jù)韓媒 FNTIMES 報導,三星宣布將 5 年投資約 15 億美元于其位于美國德州奧斯汀(Austin)的晶圓制造廠房,欲強化其 4 納米制程技術,被視為是三星傾向以此強化其系統(tǒng) LIS 芯片業(yè)務以及存儲器芯片業(yè)務,借以預先為未來第四波工業(yè)革命時代對各類系統(tǒng)單芯片(SoC)需求成長預做布局準備。

據(jù) Wccftech 網(wǎng)站等報導,三星盤據(jù)全球行動半導體領域龍頭地位已有一段時間,自從高通(Qualcomm)Snapdragon 810 處理器出現(xiàn)問題而三星拒絕在產(chǎn)品線中采用后,高通便改成為三星的一般客戶,從那時起兩家業(yè)者便開啟一段長期、密切且復雜的合作關系,同時也合作生產(chǎn) SoC。

但最新傳言指出,高通下一代行動處理器能將轉由臺積電代工生產(chǎn),如果屬實意味將打破高通與三星的多年緊密合作關系,也導致三星必須加速自有下世代制程與節(jié)點的布局。

近期三星已投資購置兩臺極紫外光(EUV)微影機臺,這將有助三星廠房在生產(chǎn) 6 納米制程上,速度比其它競爭對手任何廠房都還來得快速。

未來除了藉投資德州奧斯汀廠房達到其預計到了 2020 年投入 4 納米制程技術的目標外,也將有助三星在發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)(IoT)及相關新興科技芯片上站穩(wěn)發(fā)展基礎。

三星已推出一個全面的晶圓制程技術產(chǎn)品規(guī)劃藍圖,目標改善制程技術至更復雜的水平,三星晶圓業(yè)務執(zhí)行副總裁 Yoon Jong-shik 表示,導入新制程技術將有助更新型態(tài)連網(wǎng)裝置的問世。

值得注意的是,4 月再傳出三星可能將推出一款全新 MRAM Memory 存儲器芯片,適合于 2018 年新推出裝置搭載,這將標志著新的技術突破。至于三星這次投資德州奧斯汀廠房與蘋果可能采用三星革命性 eMRAM 芯片是否具有關聯(lián)性,將值得觀察。

除了持續(xù)進行先進制程技術投資,三星也加緊努力強化其在全球存儲器芯片市場的龍頭地位。三星位于韓國京畿道平澤市的全新 NAND 芯片生產(chǎn)廠房將于 6 月底開始運轉,以滿足市場上不斷成長的需求及協(xié)助緩解當前供貨短缺問題。

三星打算在 2017 年底前將擴大其最新 V-NAND 芯片生產(chǎn)規(guī)模,達到該公司每月 NAND 生產(chǎn)量 5 成比重以上。另外,三星也已開始量產(chǎn)專為物聯(lián)網(wǎng)平臺開發(fā)的 Exynos i T200 處理器。

據(jù)德州一份在地研究顯示,三星在美國芯片生產(chǎn)子公司 Samsung Austin Semiconductor 于 2015 年貢獻德州中部區(qū)域經(jīng)濟達 36 億美元,以及為當?shù)貏?chuàng)造近 1.1 萬個工作機會以及 4.98 億美元年薪規(guī)模。自 1997 年創(chuàng)立以來,三星已投資超過 160 億美元在擴張與維護德州奧斯汀廠房上。
 

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