如今隨著芯片工藝的演進(jìn),一方面我們看到芯片尺寸越來越小,性能越來越提升,另一方面集成度也在不斷提高。近年來3D IC封裝工藝的出現(xiàn),更讓很多功能芯片可以集成在一起形成越來越強(qiáng)大的SoC產(chǎn)品。這里面,首當(dāng)其沖的便是FPGA 廠商。
賽靈思今天向媒體公布了其20nm的最新動態(tài),基于28nm技術(shù)突破的賽靈思20nm產(chǎn)品系列繼續(xù)領(lǐng)先一代
這里領(lǐng)先一代的概念,完全是針對競爭對手的產(chǎn)品提出,Altera發(fā)表20nm SoC FPGA技術(shù)藍(lán)圖。
賽靈思公司全球高級副總裁,亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人
賽靈思公司全球高級副總裁,亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人透露,在上一輪28nm的市場爭奪戰(zhàn)中,因為賽靈思采用了HPL工藝,在保證高性能的同時也實現(xiàn)了低漏電流,產(chǎn)品在市場交付和應(yīng)用中已領(lǐng)先競爭對手。其中Kintex系列的出貨量最高,而湯立人更驕傲的宣稱,第一顆28nm Kintex產(chǎn)品是銷售到中國市場的。此外,基于28nm的SoC產(chǎn)品Zynq 7000系列以及3D IC產(chǎn)品也將在明年的第一季度實現(xiàn)量產(chǎn)?;氐缴厦嫘侣劯逯?ldquo;領(lǐng)先一代”的提法,湯立人表示,競爭對手希望在20nm產(chǎn)品上實現(xiàn)的技術(shù),賽靈思在28nm工藝上就已經(jīng)實現(xiàn)了。而且從目前形勢看,通過前面各種工藝嘗試,臺積電在20nm上將統(tǒng)一采用20nm SoC工藝,不再有HPL、HP、HPM等等這些區(qū)分,而20nm SoC工藝源于賽靈思在28nm采用的HPL工藝,基于此,賽靈思從28nm到20nm工藝的過渡將更加自然,而競爭對手將面臨調(diào)整工藝的挑戰(zhàn),要走的路更長。
賽靈思FPGA產(chǎn)品的路線圖
在下一代20nm產(chǎn)品中,賽靈思的步調(diào)與7系列類似,將以FPGA產(chǎn)品—SoC產(chǎn)品—3D IC產(chǎn)品這樣的順序來陸續(xù)推出最新的產(chǎn)品系列,下一個工藝節(jié)點代表的是產(chǎn)品性能的全面提升和集成度的提高,其中在8系列的FPGA產(chǎn)品中,將實現(xiàn)2倍的FPGA性能以及系統(tǒng)優(yōu)化的收發(fā)器;湯立人透露,在第一代SoC產(chǎn)品集成雙核ARM Cortex-A9的基礎(chǔ)上,在新一代SoC產(chǎn)品中將集成更多的內(nèi)核,而且不止有ARM內(nèi)核,到底會是哪些內(nèi)核?我們不妨來預(yù)測一下,我現(xiàn)在能想到的是GPU和DSP,還會有哪些?也歡迎分享您的想法;在下一代3D IC產(chǎn)品中,嚴(yán)格的說應(yīng)該是2.5D IC,因為大部分模塊仍是采用水平堆疊的方式來實現(xiàn),賽靈思會將存儲器也集成進(jìn)來,而只有存儲器是垂直堆疊的,因為存儲器的散熱較容易實現(xiàn),同時還會集成33G~56G的收發(fā)器單元,較28nm工藝下28G的收發(fā)器單元有了很大的提升。
賽靈思20nm產(chǎn)品的性能提升
另外湯立人也表示,隨著SoC產(chǎn)品和3D IC的推出,給賽靈思帶來前所未有的市場空間的同時,也面臨一些挑戰(zhàn),即產(chǎn)品的設(shè)計理念以及應(yīng)用發(fā)生了改變,內(nèi)部技術(shù)支持和銷售人員也要全方位的提升自己對產(chǎn)品和應(yīng)用的認(rèn)知,以更好的服務(wù)于客戶,賽靈思的技術(shù)支持今年最重要的工作之一就是組織更多的培訓(xùn)會,指導(dǎo)客戶如何應(yīng)用最新的SoC產(chǎn)品和操作Vivado設(shè)計工具。
可以說,通過28nm統(tǒng)一架構(gòu)FPGA產(chǎn)品的推出,一方面使賽靈思FPGA產(chǎn)品進(jìn)入更廣闊的藍(lán)海應(yīng)用,另一方面也讓賽靈思的角色在發(fā)生轉(zhuǎn)變,從一個單純的FPGA廠商轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋€提供系統(tǒng)設(shè)計的廠商,而未來,賽靈思還將沿著這條路走的更遠(yuǎn)。