提高晶圓電鍍速率時會遇到哪些困難？

知識星球（星球名：芯片制造與封測技術社區(qū)，點擊加入）里的學員問：晶圓電鍍的速率不能無限制地提高，為什么？半導體工藝普遍遵循“欲速則不達”的原則，要想做的好，需要慢下來。

怎樣提高晶圓電鍍速率？

根本機理：只有提高陰極（晶圓）電流密度與電流效率的乘積，才能提高鍍速。因此，只有從提高電流密度和電流效率兩方面入手。

提高電流密度時遇到的問題？

1，劇烈提升電流密度時，電流效率會下降，副反應（如析氫）增強。析氫增強導致針孔等。

2，當陰極電流密度過高，沉積原子的能量高，晶核不僅在表面橫向生長，還會在垂直方向甚至三維空間生長，容易形成樹枝狀或粗糙鍍層；

3，整平劑、光亮劑在低速下可有效控制結晶形貌；但電流密度過高時，添加劑來不及擴散或被迅速還原消耗，導致表面整平能力變差；光亮劑失效，表面出現(xiàn)顆粒感或亮度差的區(qū)域。

如消除電流密度增大帶來的問題？

1，增強電化學極化：更換耐更高電流密度的添加劑；提高電鍍液溫度；表面粗化等

2，減小濃差極化：增強溶液流動（攪拌/噴淋/旋轉陰極/鼓泡）；提高鍍液濃度；下期講什么是電化學極化與濃差極化。

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