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近日，國內外4個SiC相關項目傳建設進展：
●?晶能：車規(guī)級Si/SiC半導體封測基地項目二期開工，計劃于2026年竣工投產。
● Vishay：從安世半導體中收購的Newport 8英寸晶圓廠開啟一階段建設，初始投資4.65億人民幣。
●?銀芯微：IGBT/SiC功率模塊代工廠正式開業(yè)，預計月產能可達20萬只。
●?晶馳機電：半導體材料裝備研發(fā)生產項目投產，產品包括碳化硅外延設備、碳化硅晶體生長設備等。
晶能：半導體封測基地項目二期開工
11月26日，據溫嶺日報消息，近日，由浙江溫嶺新城開發(fā)區(qū)負責建設的半導體孵化園項目暨晶能微電子車規(guī)級半導體封測基地二期項目正式開工。
報道稱，2023年5月，溫嶺新城開發(fā)區(qū)與浙江晶能微電子有限公司成功簽約車規(guī)級半導體封測基地項目。項目分兩期建設，其中一期擴建項目主要建設一條車規(guī)級Si/SiC器件先進封裝生產線，已于今年7月正式投產，預計年產值將突破2億元。
二期項目位于將新建一棟生產性用房、一棟生活服務用房及輔助用房等，主要用于車規(guī)級功率器件系列產品的研發(fā)、生產、銷售，同時將一期生產線整體遷入新建廠房，計劃于2026年竣工投產。據溫嶺新城開發(fā)區(qū)相關負責人介紹，目前，二期整體工程已順利進入樁基施工階段。
晶能為吉利集團旗下子公司，10月25日，晶能正式完成5億元B輪融資，并即將開展股份制改造，切實推動各項業(yè)務高質量發(fā)展。
值得一提的是，晶能將在12月11日-12日出席在深圳舉辦的“2024行家說三代半年會”，向業(yè)界公布他們在碳化硅領域的最新進展。
此外，還有合盛新材料、安世半導體、三安半導體、士蘭微、芯聯(lián)集成、意法半導體、平湖實驗室、納微半導體、羅姆、致領半導體、恒普技術、思銳智能、創(chuàng)銳光譜、快克芯裝備以及悉智科技等企業(yè)將聯(lián)袂出席并帶來重磅主題演講，報名請掃描下方二維碼！
Vishay：Newport晶圓廠開始建設
11月26日，據外媒報道，威世集團（Vishay）正在推進其位于英國南威爾士紐波特的8英寸SiC工廠的建設，項目初始投資5100萬英鎊（約4.65億人民幣）。
據“行家說三代半”此前報道，Vishay于2023年11月以1.77億美元（約合人民幣12.88億元）現(xiàn)金收購了安世半導體的8英寸硅基晶圓廠（Newport晶圓廠），用于改造為8英寸車規(guī)級碳化硅和氮化鎵生產基地，推進SiC MOSFET的商業(yè)化進程。
目前，Vishay已確認初步投資5100萬英鎊用于Newport工廠的一階段建設，這筆資金包含了來自威爾士政府提供的500萬英鎊；未來，Vishay將長期計劃將向該廠注資 10 億英鎊（超91億人民幣），以加快車規(guī)SiC/GaN規(guī)?；圃煊媱潯?/p>
銀芯微：IGBT/SiC功率模塊代工廠正式開業(yè)
11月25日，據上海陸芯官微消息，常州銀芯微功率半導體有限公司在常州新北區(qū)的新模塊代工廠正式開業(yè)。
據介紹，銀芯微功率模塊制造工廠核心業(yè)務聚焦于IGBT功率模塊和碳化硅功率模塊的研發(fā)與生產，涵蓋多種類型的（包括但不限于34mm/48mm/62mm半橋、PM、EconoDual、HPI、HPD等）IGBT模塊的封裝。工廠規(guī)劃占地面積約為4000平方米，預計月產能可達20萬只。
資料顯示，銀芯微成立于2024年7月，由銀河微電、上海陸芯共同持股，持股比例分別為63.08%、36.92%。其中銀河微電產品涵蓋功率器件芯片、MOSFET、IGBT、SiC器件、GaN器件等領域。
晶馳機電：半導體材料裝備研發(fā)生產項目投產
據“平湖新埭”官微消息，11月26日上午，晶馳機電半導體材料裝備研發(fā)生產項目投產儀式在嘉興平湖新埭鎮(zhèn)舉行。
資料顯示，晶馳機電（嘉興）有限公司成立于2023年，目前公司產品包括6英寸水平進氣和8英寸垂直進氣碳化硅外延設備（LPCVD法），金剛石晶體生長設備（MPCVD法），氮化鋁晶體生長設備，碳化硅源粉合成爐，碳化硅晶體生長設備（PVT法），氧化鎵單晶生長爐（導模法、CZ法），各種晶體和晶片熱處理爐。達產后預計實現(xiàn)年產值1.4億元。
據“行家說三代半”此前報道，晶馳機電在河北石家莊也建有一個半導體材料研發(fā)生產項目，并于11月初投產——
該項目以金剛石設備與碳化硅外延設備為產品核心，專注于第三代和第四代半導體材料裝備的研發(fā)、生產。項目建成后，將把三代、四代半導體設備與材料的上下游產業(yè)鏈引入石家莊正定縣。
