聊聊倒裝芯片（flip chip）的工藝流程

上期，我們介紹了什么是flip chip，見文章：倒裝芯片（flip chip）算先進(jìn)封裝嗎？

那么倒裝芯片的工藝流程是怎樣的呢，本期我們來介紹下。

倒裝芯片分為兩步：

1，第一步是做凸點(diǎn)（bump）,凸點(diǎn)的類型有很多，最常見的有純錫球，銅柱+錫球，金凸點(diǎn)等類型。

2，第二步是將芯片安放到封裝基板上.

具體工藝步驟如下：

Wafer Incoming and Clean —— PI-1 Litho —— Ti/Cu Sputtering(UBM) —— PR-1 Litho ——Ni/Sn-Ag plating —— PR Strip —— UBM Etching —— Reflow

如上圖，是bump的一般工藝流程：

1. Wafer Incoming and Clean（晶圓準(zhǔn)備與清洗）在開始工藝之前，晶圓表面可能會(huì)有無有機(jī)物、顆粒、氧化層等污染物，需要進(jìn)行清洗，用濕法或干法清洗的方式均可。

2. PI-1 Litho（第一層光刻：聚酰亞胺涂層光刻）聚酰亞胺（PI）一種絕緣材料，起到絕緣，支撐的作用。先涂覆在晶圓表面，再進(jìn)行曝光，顯影，最后做出bump的開口位置。

3. Ti / Cu Sputtering (UBM)UBM（Under Bump Metallization），凸點(diǎn)下金屬層，主要是導(dǎo)電作用，為后面的電鍍做準(zhǔn)備。一般是用磁控濺射的方法做出UBM，以Ti/Cu的種子層最為常見。

4. PR-1 Litho（第二層光刻：光刻膠光刻）光刻膠的光刻將決定凸點(diǎn)的形狀和尺寸，這一步是打開待電鍍的區(qū)域。

5. Sn-Ag Plating（錫-銀電鍍）使用電鍍工藝在開口位置沉積錫銀合金（Sn-Ag），形成凸點(diǎn)。此時(shí)的凸點(diǎn)未經(jīng)回流并不是球形的。

6. PR Strip（去除光刻膠）完成電鍍后，去除剩余的光刻膠（PR），露出之前覆蓋的金屬種子層。

7. UBM Etching（UBM蝕刻）去除除凸點(diǎn)區(qū)域以外的 UBM 金屬層（Ti/Cu），只保留在凸點(diǎn)下方的金屬。

8. Reflow（回流焊）過回流焊，使錫銀合金層熔化并重新流動(dòng)，形成光滑的焊球形狀。

9. 芯片安放

回流焊完成后，bump形成，之后進(jìn)行芯片的安放，如上圖步驟。至此，倒裝工片工藝結(jié)束。

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