Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布符合汽車規(guī)格*的產(chǎn)品組合將新增兩款增強型高電壓霍爾效應開關(guān)芯片系列。單極的AH332xQ和全極的 AH352xQ采用 SIP-3、SOT23 (S 型)、SC59 封裝,提供多種工作靈敏度選項。這兩款器件可廣泛應用于非接觸位置與接近檢測產(chǎn)品應用,例如安全帶固定、車門/后車廂啟閉、雨刷以及方向盤鎖。
單極 AH332xQ 會在正確極性的磁通量密度超過定義的工作閾值 (BOP) 時啟動,并在磁通量低于釋放閾值 (BRP) 時關(guān)閉。有十種靈敏度可供選擇,包含高靈敏度的 30G BOP 到低靈敏度的 275G BOP ,可選擇不同的磁鐵與距離,實現(xiàn)最佳感測效果。
全極 AH352xQ 會在 S 極或 N 極的磁通量密度超過 BOP 時啟動,低于 BRP 時關(guān)閉。有三種高靈敏度可供選擇,范圍介于 ±20G 到 ±40G BOP。
AH332xQ 和 AH352xQ 的 BOP 與 BRP 閾值提供了緊縮的工作范圍,充足的遲滯特性能確保可靠工作。同時,低溫系數(shù)也保證了開關(guān)點的穩(wěn)定性。
AH332xQ 和 AH352xQ 霍爾效應器件具有漏極開路輸出,可在 3.0V 到 28V電壓下工作,工作溫度為 -40°C 到 +150°C,有助于靈活設(shè)計產(chǎn)品,以滿足嚴苛汽車環(huán)境下的需求。即便對封裝施加物理應力,器件依然可維持極為精準的靈敏度。為了提高穩(wěn)固性和可靠性,這兩款器件在電源引腳配備了具備齊納鉗位的反向阻斷二極管,在漏極開路輸出則有過流限制和齊納鉗位。兩款器件的靜電放電 (ESD) 保護支持超過 8kV HBM 與 1kV CDM,且具備 40V 負載突降能力。