存儲、第三代半導體祭出眾多“芯”品！

?？荡鎯砹似煜碌南M級和行業(yè)級存儲產(chǎn)品，以嵌入式產(chǎn)品線為核心，展示的產(chǎn)品主要面向服務器、車載應用、工業(yè)控制、消費電子等領(lǐng)域。

目前，海康存儲嵌入式存儲已經(jīng)覆蓋eMMC、LPDDR、DDR4、SPI NAND、Parallel NAND等產(chǎn)品系列，滿足電力、網(wǎng)通、交通、移動終端、智能家居等細分市場的需求。

車載存儲方面，?？荡鎯囈?guī)級eMMC支持eMMC 5.1數(shù)據(jù)傳輸模式，具有高可靠性、高PE、高性能的特點，能確保在-40℃~105℃的極端環(huán)境下穩(wěn)定運行，同時提供40GB/80GB/128GB多種容量選擇；車載專用固態(tài)硬盤CZS01系列采用高品質(zhì)3D NAND Flash顆粒和自主研發(fā)的固件，確保視頻數(shù)據(jù)寫入流暢穩(wěn)定，-25°C~85°C的工作溫度范圍可輕松應對四季用車場景；車規(guī)級固態(tài)USB閃存盤HD200采用一體封裝技術(shù)，符合車規(guī)Grade3溫度標準，支持OTA在線升級以及項目深度定制，已實現(xiàn)量產(chǎn)出貨，并與多家國內(nèi)一線新能源汽車品牌達成合作。

金泰克

金泰克在展會上展示了其渠道全系列存儲產(chǎn)品，包括DDR內(nèi)存和SSD固態(tài)硬盤兩大類，覆蓋消費類、工控級及針對中小型企業(yè)的KT-B900系列。

消費類存儲產(chǎn)品，從前瞻性的產(chǎn)品如"戰(zhàn)虎G5"內(nèi)存，頻率高達8000MHz，以及"戰(zhàn)虎G7000"固態(tài)硬盤，讀速高達7000MB/s，為大型3A游戲和專業(yè)創(chuàng)作提供流暢體驗，到性價比極高的"速虎武曲星"和"速虎白月光"內(nèi)存，均能滿足不同用戶的需求。

工控級產(chǎn)品，包括DDR5、DDR4、DDR3內(nèi)存和PCIE3.0、PCIE4.0，以穩(wěn)定性和可靠性著稱，適應嚴苛工業(yè)環(huán)境，廣受市場好評。

KT-B900系列，專為中小型企業(yè)設(shè)計，提供高效穩(wěn)定的數(shù)據(jù)存儲解決方案，優(yōu)化數(shù)據(jù)處理流程，提升工作效率。

喻芯半導體

喻芯半導體展出了多款存儲產(chǎn)品，包括高性能的基于長存最新3D NAND的嵌入式存儲eMMC、SPI NAND、內(nèi)存顆粒DDR3L/DDR4/LPDDR4x、閃存顆粒Raw NAND、高速閃存卡micro SD，消費級和企業(yè)級SATA/mSATA/M.2 SSD、PCIe3.0/4.0 SSD等以及各種存儲解決方案。

喻芯半導體指出，使用搭載了喻芯最新F800系列SSD產(chǎn)品（PCIe4.0 X4）的PC電腦進行現(xiàn)場跑分實測，并與觀眾進行了最新款3A大制作游戲《黑神話·悟空》火熱互動和體驗，游戲畫面流暢、性能優(yōu)異、SSD讀寫速度超過7000MB/s，跑分系統(tǒng)實測喻芯F800系列SSD的性能行業(yè)領(lǐng)先。

康芯威

康芯威全面展示自主研發(fā)的嵌入式存儲芯片，包括eMMC5.1產(chǎn)品。該產(chǎn)品支持目前規(guī)范高的HS400標準，在固件中加入斷電保護、壞塊監(jiān)測等算法，大大提高了產(chǎn)品可靠性，采用更為先進的LDPC糾錯算法，容錯率相較傳統(tǒng)算法提升三倍以上，可全方位覆蓋4~256GB容量的產(chǎn)品以及2D/3D閃存。

康芯威銷售副總蘇俊杰表示，隨著AI手機、AIPC、AI服務器需求迅速增長，以及智能電視、機頂盒等市場逐漸復蘇，存儲芯片需求將會增加?？敌就劢褂谇度胧酱鎯︻I(lǐng)域，正逐漸實現(xiàn)全領(lǐng)域布局。其中，eMMC存儲器在消費電子、工控、車載等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)，產(chǎn)品進入中興、九聯(lián)、海信、康佳、星網(wǎng)銳捷、浪潮、保隆汽車等品牌供應鏈，累計銷量超過5000萬顆（數(shù)據(jù)截止至2024年7月）。

長江萬潤半導體

長江萬潤半導體帶來了SSD、PSSD、eMMC、DDR、LPDDR等產(chǎn)品，包括2100MB/s讀速的PSSD移動固態(tài)硬盤，高集成度小體積封裝BGA SSD和高性能嵌入式eMMC，以及5600MHz高頻UDIMM、SODIMM系列產(chǎn)品。

其中，長江萬潤半導體PCIe Gen4×4 SSD固態(tài)硬盤MC7000，采用的是原廠自封GOOD Die顆粒和行業(yè)主流存儲控制器。MC7000 SSD隨機性能（IOPS）1088K，閃存接口速率超過2400MB/s，讀速度高達7400MB/s，不僅可以加快數(shù)據(jù)傳輸速率、減少延遲，從而實現(xiàn)更高的性能、更快的數(shù)據(jù)訪問和增強的數(shù)據(jù)可靠性，可以滿足AI和大語言模型、云端的服務器等場景。

據(jù)了解，長江萬潤半導體的UDIMM、SODIMM系列產(chǎn)品，采用原廠顆粒，有多種頻率和容量可選，兼容市面主流操作系統(tǒng)，為游戲發(fā)燒友和電競玩家提供高效、可靠的內(nèi)存運行支撐，縮短加載時間，同時確保游戲畫面和并行計算任務的流暢執(zhí)行，可顯著提升電腦性能和運行效率。

朗科科技

此次展會，朗科科技展示了SSD、DDR內(nèi)存、移動固態(tài)硬盤、閃存盤、存儲卡等多個品類產(chǎn)品，覆蓋日常辦公、娛樂游戲、差旅出行等眾多應用場景。其中，絕影NV7000、絕影RGB內(nèi)存、Z2S移動固態(tài)硬盤等明星產(chǎn)品備受關(guān)注。

朗科科技的NV7000絕影系列固態(tài)硬盤，容量是2TB，采用M.2 2280規(guī)格，使用M.2 Socket 3接口，傳輸模式PCIe 4.0x4，支持NVMe協(xié)議。由于自帶散熱馬甲的關(guān)系，整體厚度達到了11.25mm。

而Z2S移動固態(tài)硬盤具備近乎5倍移動硬盤的傳輸速度，1G電影文件，大概2-3秒就能傳輸完畢，極大提升工作娛樂效率。支持電腦手機多設(shè)備直連，玻璃鏡面機身，輕便易攜。

普冉股份

普冉股份展示了其在存儲器和MCU及模擬等領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品成果。普冉股份主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大非易失性存儲器芯片、微控制器芯片及模擬產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應用于物聯(lián)網(wǎng)、智能手機及周邊、可穿戴、服務器、光模塊、工業(yè)控制、汽車電子、安防等領(lǐng)域。

EEPROM方面，目前，普冉股份EEPROM產(chǎn)品全系列全容量均已完成AEC-Q100車規(guī)認證，廣泛應用于車載信息娛樂系統(tǒng)、導航系統(tǒng)、駕駛輔助系統(tǒng)、數(shù)字儀表盤等多個領(lǐng)域。

NOR Flash方面，主要分為SPI NOR Flash、車規(guī)級Flash兩個系列。其中普冉股份全容量（4Mbit~1Gbit）的ETOX NOR Flash產(chǎn)品系列已經(jīng)通過AEC-Q100車規(guī)認證。

宇瞻科技

宇瞻科技產(chǎn)品線包含存儲器模塊、工業(yè)用固態(tài)盤及消費性電子產(chǎn)品。其中，存儲器模塊分為工業(yè)用DRAM、消費性DRAM，前者面向工業(yè)臺式機專用，工業(yè)筆記本電腦專用，服務器專用，后者面向電競，超頻，臺式機專用，筆記本電腦專用。

本次展會，宇瞻科技帶來了應用于AI PC方面、以及其他應用于消費端、工控等的存儲解決方案。據(jù)相關(guān)負責人指出，應用于AI PC的的存儲方案包括48GB DDR5 UDIMN、48GB DDR5 SODIMM、PDDRSX CAMM2、Anti-Sulfuration DDR5 SODlMN等。

SSD解決方案包括兩款不同功能的PH160-M280、以及PT160-25。此外，宇瞻科技還展示了其云系列SSD，旨在面向監(jiān)控和遠程管理物聯(lián)網(wǎng)邊緣設(shè)備網(wǎng)絡的典型痛點。

PCIM Asia匯聚超30家三代半企業(yè)

本屆PCIM Asia匯聚了超30家第三代半導體企業(yè)，安森美、三菱電機、英飛凌、羅姆、賽米控丹佛斯、中國中車、博世、芯聯(lián)集成、安世半導體、士蘭微等齊聚一堂，展出的新產(chǎn)品、新技術(shù)覆蓋新能源汽車、充電樁、工業(yè)控制光伏和風電、消費電子、家電、通信等熱門應用領(lǐng)域。

安森美onsemi

為應對主驅(qū)逆變器高功率的需求，onsemi推出了高功率SiC B2S模塊，該模塊采用了塑封半橋工藝，具備低雜散電感和高可靠性特性。據(jù)悉，該模塊集成了最新的M3 SiC技術(shù)，并通過先進的銀燒結(jié)實現(xiàn)了低熱阻和高性能。

另外，onsemi還在現(xiàn)場展示了采用了新的場截止第7代(FS7)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊(IPM)。據(jù)悉，SPM31 IPM能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而總體系統(tǒng)成本更低。

羅姆ROHM

PCIM現(xiàn)場，羅姆首次展出其今年最新發(fā)布的適用于車載引逆變器的新型二合一SiC功率模塊（TRCDRIVE pack）。

據(jù)羅姆(ROHM)半導體(上海)有限公司深圳分公司技術(shù)中心高級經(jīng)理蘇勇錦表示，TRCDRIVE packTM產(chǎn)品主要特點是小型化、高功率，具備四大優(yōu)勢：一、該系列內(nèi)置第四代SiC MOSFET，采用了溝槽工藝，達到業(yè)界超低的單位面積導通電阻；二、產(chǎn)品優(yōu)化了基板的布局，可以做到低寄生電感，開關(guān)損耗比傳統(tǒng)的模塊降低一個等級；三、模塊采用了press fit pin和塑封工藝結(jié)合，小型化水平做到更低，實現(xiàn)了普通SiC封裝模塊1.5倍的業(yè)界超高密度；四、這款二合一的SiC模塊系列產(chǎn)品陣容，分為兩個耐壓級別：一個是750V，另外一個是1200V，分別對應400V電壓平臺和800V的電壓平臺。滿足大功率輸出應用場景，助力xEV逆變器小型化發(fā)展趨勢。

8英寸SiC時代奔涌而來，現(xiàn)場羅姆還展示了其8英寸SiC Wafer和8英寸SiC襯底工藝。蘇勇錦表示，2025年，羅姆第五代SiC MOSFET將會在8英寸SiC晶圓上量產(chǎn)。而在SiC器件開發(fā)商，2025年羅姆也將推出推出第5代SiC MOSFET，同時其第6代及第7代產(chǎn)品的市場投入計劃也將同步實施。

另外，現(xiàn)場羅姆的重要合作伙伴海姆?？埔舱故玖瞬捎昧_姆SiC裸片封裝的各種功率模塊。羅姆表示，供應鏈上的不同廠商擁有各自的優(yōu)勢，與下游伙伴的密切合作可以使羅姆的碳化硅產(chǎn)品觸達更多用戶，覆蓋更大的市場，實現(xiàn)多贏。

三菱電機

三菱電機在本次PCIM中設(shè)置了電動汽車展區(qū)，其中特別展示了電動汽車用8英寸SiC晶圓以及電動汽車用J3系列EV T-PM。另外，現(xiàn)場我們還看到了其J3系列SiC EV T-PM、新型3.3kV Unifull系列SiC-MOSFET模塊、工業(yè)用NX封裝全SiC-MOSFET模塊重磅產(chǎn)品。

據(jù)悉，8英寸SiC晶圓是三菱電機制造戰(zhàn)略中的關(guān)鍵舉措之一。為積極開展產(chǎn)能建設(shè)，促進實現(xiàn)中期增長，三菱電機計劃以翻番的投資數(shù)額用以建造8英寸SiC晶圓工廠以及相關(guān)設(shè)施，同時加強行業(yè)垂直合作，共同開發(fā)高質(zhì)量8英寸SiC襯底。通過穩(wěn)定供應SiC功率半導體，以滿足電動汽車等市場快速增長的需求。

官方消息顯示，繼3.3kV/185A、3.3kV/375A和3.3kV/750A全碳化硅模塊之后，三菱電機新開發(fā)的Unifull系列SBD嵌入式SiC MOSFET模塊，規(guī)格為3.3kV/200A、3.3kV/400A和3.3kV/800A。新型模塊采用SiC MOSFET&SBD一體化芯片和LV100封裝，將有助于提高鐵路牽引系統(tǒng)、電力系統(tǒng)及大型工業(yè)變流系統(tǒng)的功率密度、效率和可靠性；另外，其工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導體模塊，額定電壓為1200V和1700V，額定電流為600A。該模塊采用了JFET摻雜技術(shù)的第二代SiC芯片，具有低損耗特性。與現(xiàn)有Si IGBT模塊相比，功率損耗降低約72%。新模塊采用了優(yōu)化的疊層結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了9nH的內(nèi)部雜散電感，與現(xiàn)有的Si IGBT模塊相比，內(nèi)部雜散電感減少約47%。

英飛凌

英飛凌展臺現(xiàn)場展出了多款CoolSiCTM碳化硅系列產(chǎn)品新品，包括：1200V增強型CoolSiCTMMOSFET EasyDUALTM3半橋模塊、采用2000V CoolSiCTMM1H芯片的62mm半橋模塊、1200V CoolSiCTMMOSFET EasyDUALTM3B半橋模塊等。

官方資料顯示，英飛凌全新的CoolSiCTMMOSFET 650V和1200V Generation 2技術(shù)，與上一代產(chǎn)品相比，在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，MOSFET的主要性能指標（e.g.能量損耗和存儲電荷）優(yōu)化了20%。結(jié)合先進的.XT封裝技術(shù)，使芯片的瞬態(tài)熱阻降低了25%甚至更高，使用壽命延長了80%，進一步提升了基于CoolSiCTMG2的設(shè)計潛力，從而實現(xiàn)更高效率、更低功耗。

現(xiàn)場我們還看到了英飛凌面向汽車半導體領(lǐng)域的一大新技術(shù)——HybridPACKTMDrive G2 Fusion模塊和Chip Embedding功率器件。其中HybridPACKTMDrive G2 Fusion模塊融合了IGBT和SiC芯片，在有效減少SiC模塊成本的情況下同時顯著提升了模塊的應用效率，而Chip Embedding則可以直接集成在PCB板中，做到極致小的雜散和極致高集成度的融合。

除了碳化硅相關(guān)產(chǎn)品，英飛凌還展出了其業(yè)內(nèi)首家雙向開關(guān)概念器件產(chǎn)品——650V雙向開關(guān)(BDS)氮化鎵產(chǎn)品。在拓撲等應用領(lǐng)域，通過一顆CoolGaNTMBDS就可以實現(xiàn)之前四顆芯片才能完成的功能，簡化客戶傳統(tǒng)的雙邊開關(guān)復雜電路設(shè)計，大幅提升性能和優(yōu)化成本。

博世

PCIM現(xiàn)場，博世展出了其明星碳化硅產(chǎn)品系列，包括第二代碳化硅MOSFET裸片、先進模塊、電驅(qū)動系統(tǒng)等。博世表示，能夠根據(jù)整車廠、一級供應商和分銷商對于芯片布局、電氣性能和工藝方面的需求靈活定制SiC芯片。

賽米控丹佛斯

本次展會，賽米控丹佛斯帶來兩大新品，SEMITRANS 20和SKiiP 4 SiC，配備多源采購的2kV SiC芯片。其中SEMITRANS 20實現(xiàn)了靈活的轉(zhuǎn)換器的開發(fā)，而SKiiP 4 SiC則集成了功率模塊、驅(qū)動器、電流傳感器和散熱器。據(jù)悉，通過兩個功率模塊平臺產(chǎn)品eMPack和DCM，他們可以為乘用車和商用車逆變器提供從100kW到750kW的高度可擴展解決方案。

芯聯(lián)集成

芯聯(lián)集成在本次PCIM大會中展出了許多新品。聚焦新能源汽車市場，芯聯(lián)集成針對主驅(qū)逆變推出了750V 400A-1000A，1200V 500A-900A碳化硅功率模塊，功率范圍覆蓋150kW-300 kW。最新的平面柵SiC MOSFET芯片效率提升至99%，多款塑封和灌膠模組產(chǎn)品已量產(chǎn)，溝槽柵SiC MOSFET平臺預計2025年推出。

除了展示IGBT晶圓產(chǎn)品外，芯聯(lián)集成也在本次展會中展出8英寸碳化硅晶圓樣品。官方資料顯示，今年4月，芯聯(lián)集成國內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET產(chǎn)線已開始投片，并實現(xiàn)了工程批下線，明年將進入量產(chǎn)階段。

中國中車

中國中車在本次展會中主要展出了高壓SiC模塊、新能源汽車用功率產(chǎn)品等一系列代表性功率器件，其中應用中車溝槽柵技術(shù)的SiC MOSFET晶圓（1200V/10mΩ）首次展出，作為行業(yè)先進的新能源汽車主驅(qū)用SiC MOSFET芯片，引起行業(yè)關(guān)注。

士蘭微

士蘭微現(xiàn)場展出了基于自主研發(fā)的SiC MOS芯片技術(shù)開發(fā)的SSM1R7PB12B3DTFM六單元拓撲模塊。該模塊適用于純電動汽車等應用，具有高阻斷電壓、低導通電阻和高電流密度等特性。芯片方面優(yōu)化完成低界面態(tài)密度和高溝道遷移率的SiC/SiO2氧化工藝研發(fā)，單芯片導通電阻達到甚至優(yōu)于國外同級別器件水平；封裝方面攻克納米銀燒結(jié)、銅線鍵合技術(shù)并實現(xiàn)量產(chǎn)。

安世半導體

本次展會中，安世安世半導體設(shè)置了寬禁帶半導體的解決方案展臺，主要展出了全新寬禁帶（WBG）功率FET、從SOT23到LFPAK56的專業(yè)封裝技術(shù)、硅晶圓技術(shù)、一站式技術(shù)服務等最新解決方案。