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    • 1. 基礎CMOS技術:
    • 2. 高電壓需求:
    • 3. HVCMOS技術概述:
    • 4. HVCMOS與CMOS在技術上有什么不一樣的地方:
    • 5. HVCMOS的應用:
    • 6.??HVCMOS的優(yōu)勢
    • 8. HVCMOS的挑戰(zhàn):
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聊聊高壓CMOS工藝

09/03 11:10
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高壓CMOS (HVCMOS) 是一種專門為處理高電壓應用而設計的CMOS技術。HVCMOS技術因其能夠處理高壓且同時具備低壓CMOS電路的所有優(yōu)勢,使其在現代電子設備的各個領域中成為不可或缺的技術。無論是電源管理汽車電子還是其他需要高壓處理的場景,HVCMOS都提供了一種高效、可靠的解決方案。

1. 基礎CMOS技術:

CMOS(互補金屬氧化物半導體)是一種用于制造集成電路的技術。它結合了n型和p型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)來實現低功耗的邏輯功能。

在標準CMOS中,工作電壓通常較低,通常在1V到5V之間,這對于大多數數字應用已經足夠。

2. 高電壓需求:

某些應用,例如驅動顯示面板、傳感器、汽車電子以及某些模擬電路,需要更高的電壓才能高效運行。

標準CMOS由于擊穿電壓的限制和可靠性問題,無法處理這些較高的電壓。

3. HVCMOS技術概述:

HVCMOS(High-Voltage CMOS)是一種專門設計用于在更高電壓下運行的CMOS技術,通常電壓范圍在12V到40V甚至更高。這涉及對標準CMOS工藝的修改,以創(chuàng)建能夠承受更高電場而不發(fā)生擊穿的器件。

HVCMOS技術結合了傳統的低壓CMOS技術與能夠處理高電壓的電路設計,使得它能夠在集成電路中同時處理低壓和高壓信號。

4. HVCMOS與CMOS在技術上有什么不一樣的地方:

加厚的柵氧化層:為了處理更高的電壓,MOSFET的柵氧化層被加厚,從而提高了柵極的擊穿電壓。

更大的器件幾何尺寸:通過增加晶體管的尺寸,如溝道長度和寬度,降低電場強度,防止擊穿。

漏極工程:采用輕摻雜漏極(LDD)結構和其他漏極工程方法,均勻分布電場,減少熱載流子效應,提高可靠性。

隔離技術:高壓器件需要與低壓電路良好隔離,以防止干擾和擊穿。這可能涉及使用深n阱、厚氧化隔離層或其他高級隔離技術。

5. HVCMOS的應用:

電源管理IC:HVCMOS用于需要切換高電壓以控制電子設備中的電源的電源管理集成電路(PMIC),能夠處理從低壓控制信號到高壓輸出的轉換。

顯示驅動器:HVCMOS技術應用于LCD和OLED的顯示驅動器中,這些驅動器需要高電壓來驅動像素。比如,在驅動LED、LCD背光或控制電機的應用中,HVCMOS能夠提供必要的高壓驅動能力。

汽車電子:汽車系統,例如電動汽車中的系統,使用HVCMOS進行各種控制和電源分配應用。HVCMOS用于控制電動機、執(zhí)行器和傳感器等設備,這些設備需要高壓驅動和控制。

模擬和混合信號電路:HVCMOS通常用于需要更高電壓以實現特定信號范圍的模擬電路中。

電信與網絡:HVCMOS在電信和網絡設備中用于處理較高電壓的信號,例如用于光纖通信的激光驅動器或模擬信號處理器。

醫(yī)療設備:?在某些醫(yī)療設備中,需要HVCMOS技術來處理和驅動高電壓組件,例如X射線機或超聲波成像設備中的高壓部分。

6.??HVCMOS的優(yōu)勢

集成度高:通過將高壓和低壓電路集成到同一個芯片上,HVCMOS能夠實現高集成度的系統設計,減少了系統的體積和成本。

與標準CMOS的集成:HVCMOS可以與標準CMOS工藝集成,以便在同一芯片上實現高壓和低壓電路的混合,這對于混合信號和電源管理IC非常有用。

功耗低:與傳統的高壓電路相比,HVCMOS可以在較低的靜態(tài)功耗下工作,這對于便攜式和電池供電設備尤其重要。

性能可靠:HVCMOS技術在處理高電壓的同時,能夠保持CMOS電路的低噪聲、高速度和高可靠性的優(yōu)勢。

設計靈活:HVCMOS允許在同一芯片上集成不同的電壓域,使得設計師能夠靈活地處理各種電壓需求,適應更多的應用場景。

7. 技術需求的驅動因素

設備小型化:隨著現代電子設備越來越小型化,需要將更多功能集成到更小的芯片上。HVCMOS技術允許在同一芯片上集成高壓和低壓電路,有助于實現這一目標。

高效能:在電力電子和電源管理中,越來越多的應用需要高效能的高壓處理能力,HVCMOS通過提供高效的電壓轉換和管理,滿足這些需求。

安全性和可靠性:特別是在汽車和醫(yī)療領域,設備的安全性和可靠性至關重要。HVCMOS技術能夠在高電壓環(huán)境下保持穩(wěn)定運行,這使得它在這些關鍵領域得以廣泛應用。

8. HVCMOS的挑戰(zhàn):

可靠性:管理在高電壓下長時間運行的器件的可靠性是一個挑戰(zhàn),需要仔細的設計和測試。

工藝復雜性:HVCMOS所需的工藝修改增加了制造的復雜性和成本,與標準CMOS相比更為復雜。

作者:胡工,北京大學微電子本碩,北京大學半導體校友會成員,在半導體行業(yè)工作多年,常駐深圳。歡迎交流,備注姓名+公司+崗位。

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